【产品】漏源电压60V的N沟道增强型功率MOSFET 2N7002KV，采用SOT-23封装，最大耗散功率0.35W
丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型功率MOSFET 2N7002KV，可应用于逻辑电平接口（TTL/CMOS）、驱动器（继电器、螺线管、台灯、电锤、显示器、存储器、晶体管等）、电池供电系统和固态继电器等。
产品实物图、示意图和引脚配置
产品特点：
●VDS=60V，ID=0.3A
●RDS(ON)<3Ω（VGS=5V）
●RDS(ON)<2Ω（VGS=10V）
●ESD额定值：HBM 2300V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
产品应用：
●逻辑电平接口：TTL/CMOS
●驱动器：继电器、螺线管、台灯、电锤、显示器、存储器、晶体管等
●电池供电系统
●固态继电器
●P/N后缀V表示符合AEC-Q101标准，例如：2N7002KV
●无卤素
绝对最大额定参数(TA=25℃，除非另有说明)：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明)：
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
2、表面贴装在FR4板上，t≤10秒。
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
4、由设计保证，不受生产限制。
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品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
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