【产品】漏源电压60V的N沟道增强型功率MOSFET 2N7002KV，采用SOT-23封装，最大耗散功率0.35W
丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型功率MOSFET 2N7002KV，可应用于逻辑电平接口（TTL/CMOS）、驱动器（继电器、螺线管、台灯、电锤、显示器、存储器、晶体管等）、电池供电系统和固态继电器等。
产品实物图、示意图和引脚配置
产品特点：
●VDS=60V，ID=0.3A
●RDS(ON)<3Ω（VGS=5V）
●RDS(ON)<2Ω（VGS=10V）
●ESD额定值：HBM 2300V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
产品应用：
●逻辑电平接口：TTL/CMOS
●驱动器：继电器、螺线管、台灯、电锤、显示器、存储器、晶体管等
●电池供电系统
●固态继电器
●P/N后缀V表示符合AEC-Q101标准，例如：2N7002KV
●无卤素
绝对最大额定参数(TA=25℃，除非另有说明)：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明)：
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
2、表面贴装在FR4板上，t≤10秒。
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
4、由设计保证，不受生产限制。
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道增强型场效应晶体管2SK3018W，采用沟槽功率中压MOSFET技术，低输入电容18pF
SLKOR推出了一款N沟道增强型场效应晶体管2SK3018W。该器件采用沟槽功率中压MOSFET技术，具有低输入电容、低输入/输出泄漏、开关速度快的特点。该器件可用于电池供电系统、固态继电器、直接逻辑电平接口（TTL/CMOS）领域。
【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
【产品】漏源电压40V的N沟道增强型功率MOSFET RMD50N40DF，采用高密度单元设计，ESD耐受能力高
丽正国际推出的N沟道增强型功率MOSFET RMD50N40DF使用先进的沟槽技术和设计来提供优良的RDS(ON)，具有低栅极电荷，可以被广泛地应用。采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高，采用高密度单元设计，具有超低的Rdson，全面表征雪崩电压和电流。
【产品】60V/20A N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用TO-252-2L封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET，型号为RM20N60LD，采用先进的沟槽技术，采用TO-252-2L封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，该产品应用范围较广。参数最大额定值如下：漏极-源极电压为60V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流分别为20A（TC=25℃）和14A（Tc=100℃），漏极脉冲电流为60A，最大耗散功率为45W，单次脉冲雪崩能量为72mJ。
2N7002KC N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了2N7002KC型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有高电流处理能力，适用于直接逻辑电平接口，可用于驱动继电器、电磁线圈、灯具、锤子、显示器、存储器、晶体管等设备。它还适用于电池供电系统和固态继电器。
型号- 2N7002KC
RM3416 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3416是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至1.8V）的特点。该器件适用于负载开关或PWM应用，具有高功率和电流处理能力，采用无铅表面贴装封装。
型号- RM3416
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
RMD50N40DF N沟道增强型功率MOSFET\n
描述- 该资料介绍了RMD50N40DF型号的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- RMD50N40DF
RM3404 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3404是一款采用先进沟槽技术的N-通道增强型功率MOSFET，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。
型号- RM3404
【产品】30V/5mΩ的N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用PMPAK 3x3 封装
丽正国际一款N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用先进的功率创新设计以及硅工艺技术，从而实现了尽可能低的开启电阻和快速开关的性能。RMN3N5R0DN的漏源电压为30V，漏源通态电阻仅为5mΩ，采用PMPAK 3x3 封装。
2N7002V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了N-通道增强型功率MOSFET（2N7002V）的特性、应用和规格。该器件具有低导通电阻、直接逻辑电平接口等特点，适用于各种驱动电路，如继电器、电磁阀、灯具等。
型号- 2N7002V,2N7002
RM2312 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM2312是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压（低至2.5V）的特点。该器件适用于电池保护和其他开关应用，具有高功率和电流处理能力。
型号- RM2312V,RM2312
2N7002 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了N-通道增强型功率MOSFET的特性，包括其通用特性、绝对最大额定值、热特性、电气特性、动态特性和开关特性。此外，还提供了电路图、波形图和封装尺寸信息。
型号- 2N7002
RM3400 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM3400是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和2.5V低栅极电压下的运行能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
型号- RM3400V,RM3400
NCE72R60D N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE72R60DNCE型号的N沟道增强型功率MOSFET。它具有60伏漏源电压、0.41安培连续漏极电流和低导通电阻（在4.5V栅极电压下小于5.0欧姆，在10V栅极电压下小于4.7欧姆）。产品具备高功率和电流处理能力，适用于直接逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统和固态继电器等领域。
型号- NCE72R60D
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论