EPC第五代氮化镓晶体管及集成电路——2017年度“Top10电源产品-最佳应用奖“产品
宜普电源转换公司(EPC)第五代氮化镓(eGaN)晶体管及集成电路系列荣获《今日电子》/21IC中国电子网在2017年9月15日于北京颁发的2017年度"Top10电源产品-最佳应用奖"。
面向全新及目前由MOSFET支持应用的第五代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路系列(EPC2045、EPC2046及EPC2047晶体管)的尺寸减半,而性能却显著提升了三倍,进一步扩大与日益老化的硅功率MOSFET器件的绩效差距,并且在降低成本方面实现质的飞跃。
多种应用受惠于EPC第五代技术,包括100V EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、激光雷达、低电感马达驱动器及USB-C。而200V的EPC2046及EPC2047的理想应用包括无线充电、多级AC/DC电源供电、D类音频放大器、机械人应用及太阳能微型逆变器。
EPC公司首席执行官兼共同创始人AlexLidow说:“我们非常荣幸获得业界著名杂志《今日电子》与21IC中国电子网的专家评审组的支持和评审,选出在现实生活中实现最佳应用的第五代eGaNFET及集成电路系列。eGaNFET及集成电路已被证明可以支持无线充电、激光雷达及DC/DC电源转换等应用,而且还可以应用于其它许多不同的领域。是次获得"最佳应用奖"印证eGaN技术能够带领业界提升电源转换应用的效率。”
《今日电子》/21IC中国电子网的专家评审组对众多参与厂商在2016年8月1日至2017年7月1日推出的技术/产品进行严格的评审。评审提名产品的3个主要标准为创新设计、性价比及技术突破。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaNIC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路应用简介
描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能,实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等,并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达(LiDAR)是一种远距感测技术,从感测器发射光脉冲,并记录反射光线的时间,从而映射物件的位置及距离,本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关,应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统(ADAS)。
增强型氮化镓技术
描述- 本文介绍了eGaN®技术,这是一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
型号- EPC2212,N/A,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC2100,EPC2067,EPC21701,EPC2221,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC7001,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC23104,EPC90140,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC2088,EPC7014,EPC90122,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。
【选型】氮化镓场效应晶体管EPC2045用于多线激光雷达,脉冲电流130A,耐压100V
某客户在研制一款多线激光雷达,需要用到一款效应晶体管,要求高频率,耐压可达100V ,脉冲电流至少120A。依据客户要求,我们推荐了EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2045,脉冲电流可达130A,耐压可达100V,RDS典型值5.6mΩ。
【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达,具备小封装,开关频率可达100MHz
某用户想研制一款多线激光雷达,主要应用于交通领域,想找一款效应晶体管用来驱动激光器,经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221,它具备小封装,尺寸仅为1.35x1.35mm,开关频率可达100MHz。
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术,旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比,eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外,文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC9186,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9051,EPC9172,EPC2034C,EPC9148,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
电子商城
现货市场
服务
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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