【产品】表面安装式N沟道增强型MOSFET 2N7002，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计

时间： 2018-09-09 来源：Central

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Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，其推出的2N7002是一款表面安装式、N沟道增强型MOSFET，该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，采用小型SOT-23表面贴装封装，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。

图1 2N7002增强型N沟道MOSFET实物图

图2 2N7002增强型N沟道MOSFET机械尺寸图

在TA=25°C的标准下，2N7002增强型N沟道MOSFET漏极-栅极电压最大值为60V，漏源电压最大值为60V，栅源电压最大值为40V；分别在T_C=25℃、T_C=100℃的测量温度标准下，连续漏极电流最大值分别为115mA、75mA；最大脉冲漏极电流、脉冲源电流均为800mA。2N7002产品功耗仅为350mW，功耗较低，可提升产品的能源利用效率，同时也满足低功耗的设计要求；该器件的栅极总电荷典型值仅为0.592nC，导通时间/关断时间t_off均为20ns（V_DD=30V, I_D=200mA, R_G=25Ω, R_L=150Ω），开关损耗较低，具有较高的开关速度。

2N7002增强型N沟道MOSFET操作和储存结温范围是-65℃~150℃，满足军品级器件的温度要求，具有极高的稳定性；2N7002产品热阻为357℃/W，具有良好的热性能，在大功率系统中可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。最后，2N7002表面安装硅N沟道增强型MOSFET的导通电阻典型值为3.7Ω（V_GS=10V, I_D=500mA），器件具有较低的导通损耗，导通状态热损失较低。

2N7002表面安装式N沟道增强型MOSFET产品特点：

•操作和储存结温范围是-65℃~150℃

•栅源电压为40V

•漏源电压为60V

•采用N沟道DMOS工艺制造

•采用小型SOT-23表面贴装封装

•操作和储存结温范围是-65℃~150℃

2N7002表面安装式N沟道增强型MOSFET应用领域：

·高速脉冲放大器

·高速脉冲驱动器

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全部评论（4）

风行者 Lv4. 资深工程师 2018-11-07

支持
AaronC Lv7. 资深专家 2018-11-04

好
蓝黑使者007 Lv7. 资深专家 2018-10-26

学习了
LouBing Lv7. 资深专家 2018-09-09

好东西，收藏了

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