【技术】SMI压力传感器技术参数详解之热迟滞、TCZ、TCS和电桥阻抗
继《【技术】SMI压力传感器技术详解之参数如何匹配设计需求》后，本期我们继续来看SMI压力传感器另外的几个重要参数--热迟滞，零点漂移温度系数，全量程温度系数，电桥阻抗。
1）热迟滞
热迟滞是指，在标定的操作温度范围内，传感器出现offset漂移最大的偏移值。
图1：热迟滞
如图，它描述了芯片在无压力环境下，温度由高到低和由低到高，经过同一个温度点时，输出的差异。热迟滞和测试条件，如停留时间，所选的测量温度范围等，密切相关。
2）零点漂移温度系数（TCZ）
所有压阻式的压力传感器的零点漂移都随着温度变化，零点漂移温度系数（TCZ），正是用于描述这个现象。SMI的压力传感芯片在出厂前测试了offset输出在标准温度下和补偿温度下限和上限的差异，两者中较大者被采集为零点漂移温度系数，单位为uV/℃。
3）全量程温度系数（TCS）
所有压阻式的压力传感器的全量程输出也随着温度变化，全量程温度系数（TCS），则是用于描述这个现象。SMI的压力传感芯片在出厂前测试了全量程输出在标准温度下和补偿温度下限和上限的差异，两者中较大者被采集为全量程温度系数，单位为%FS/℃。
以上TCZ和TCS两个温补参数，对于没有在出厂前做了温补校准的芯片，在后端做温补是非常有用的。
4）电桥阻抗
电桥阻抗指的是在单个硅衬底上，由四个电阻组成的惠斯通电桥的阻值。
图2：惠斯通电桥
如图，R1~R4的阻值一般是5kΩ，如果由这四个电阻组成惠斯通电桥，其等效电阻则是5kΩ，也就是电桥阻抗等于5kΩ。
至此，关于SMI压力传感器在设计过程中较为重要的参数已一一介绍。在设计过程中需根据自身设计的参数需求选择合适的型号器件。
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