【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS（UnitedMonolithicSemiconductors）是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，UMS公司正在开发一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管——CHKA011-SXA。它为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。
CHKA011-SXA工作在高电压（50V）下，并具有所有GaN的关键优势，如高功率（130W），高效率（高达70％），以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式。
该款氮化镓功率晶体管是在0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术上开发，可选择使用陶瓷金属法兰功率封装，符合RoHsN°2011/65和REACHN°1907/2006标准，是一款绿色环保器件。
CHKA011-SXA建议采用低寄生、低热阻封装，需要外部匹配电路。CHKA011-SXA的存储温度范围为-55℃~150℃，最高结温高达220℃。该器件非常适合用于雷达和通信等多用途应用中。
图1：CHKA011-SXA产品示意图
CHKA011-SXA产品特性：
• 高电子迁移率氮化镓晶体管
• 50V高工作电压
• 130W高功率
• 高达78%的效率
• 高宽带能力，高达1.5GHz工作频率
• 兼容脉冲和CW操作模式
• 采用0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术开发
• 存储温度为-55℃~150℃
• 最高结温高达220℃
• 使用陶瓷金属法兰功率封装
应用领域：
• 雷达
• 通信
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 双通道私人电台
技术顾问：叵仄兮
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cherryyang Lv7. 资深专家 2021-07-31学习 -
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Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-07-31签到学习 -
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自强 Lv7. 资深专家 2017-11-12这个真不错。
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
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型号- CE65H270TOEI SERIES,CE65H270TOEI
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型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
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型号- 2KK8005NEDFN
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型号- CE65H270TOAIF SERIES,CE65H270TOAIF
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型号- PH10,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F
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