【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选

时间： 2017-09-25 来源：UMS（世强翻译）

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

UMS（UnitedMonolithicSemiconductors）是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，UMS公司正在开发一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管——CHKA011-SXA。它为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。

CHKA011-SXA工作在高电压（50V）下，并具有所有GaN的关键优势，如高功率（130W），高效率（高达70％），以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式。

该款氮化镓功率晶体管是在0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术上开发，可选择使用陶瓷金属法兰功率封装，符合RoHsN°2011/65和REACHN°1907/2006标准，是一款绿色环保器件。

CHKA011-SXA建议采用低寄生、低热阻封装，需要外部匹配电路。CHKA011-SXA的存储温度范围为-55℃~150℃，最高结温高达220℃。该器件非常适合用于雷达和通信等多用途应用中。

图1：CHKA011-SXA产品示意图

CHKA011-SXA产品特性：

• 高电子迁移率氮化镓晶体管

• 50V高工作电压

• 130W高功率

• 高达78%的效率

• 高宽带能力，高达1.5GHz工作频率

• 兼容脉冲和CW操作模式

• 采用0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术开发

• 存储温度为-55℃~150℃

• 最高结温高达220℃

• 使用陶瓷金属法兰功率封装

应用领域：

• 雷达

• 通信

• 宽带放大器

• 蜂窝基础设施

• 测试仪器

• 双通道私人电台

技术顾问：叵仄兮

相关技术文档：

Intersil ISL78420半桥驱动器数据手册详情>>>

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 6
| 转发至：

本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！

全部评论（6）

cherryyang Lv7. 资深专家 2021-07-31

学习
Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-07-31

签到学习
温暖 Lv4. 资深工程师 2018-01-17

学习一下
亲亲长颈鹿 Lv4. 资深工程师 2017-12-19

看一下
MarsSu Lv4. 资深工程师 2017-12-06

萨德

自强 Lv7. 资深专家 2017-11-12

这个真不错。

没有更多评论了

【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达

EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式

UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。

2018-12-23 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用

UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。

2019-04-03 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关

激光雷达（LiDAR）是一种远距感测技术，从感测器发射光脉冲，并记录反射光线的时间，从而映射物件的位置及距离，本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关，应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统（ADAS）。

2022-06-07 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表

UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.

产品型号	品类	Glin(dB) @ Freq(GHz)	Operating Frequency(GHz)	Saturated Power(W)	PAE(%) @ Freq(GHz)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHKA011aSXA	氮化镓功率晶体管	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange