【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS（UnitedMonolithicSemiconductors）是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，UMS公司正在开发一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管——CHKA011-SXA。它为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。
CHKA011-SXA工作在高电压（50V）下，并具有所有GaN的关键优势，如高功率（130W），高效率（高达70％），以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式。
该款氮化镓功率晶体管是在0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术上开发，可选择使用陶瓷金属法兰功率封装，符合RoHsN°2011/65和REACHN°1907/2006标准，是一款绿色环保器件。
CHKA011-SXA建议采用低寄生、低热阻封装，需要外部匹配电路。CHKA011-SXA的存储温度范围为-55℃~150℃，最高结温高达220℃。该器件非常适合用于雷达和通信等多用途应用中。
图1：CHKA011-SXA产品示意图
CHKA011-SXA产品特性：
• 高电子迁移率氮化镓晶体管
• 50V高工作电压
• 130W高功率
• 高达78%的效率
• 高宽带能力，高达1.5GHz工作频率
• 兼容脉冲和CW操作模式
• 采用0.5μm栅极长度的GaNHEMT技术开发
• 存储温度为-55℃~150℃
• 最高结温高达220℃
• 使用陶瓷金属法兰功率封装
应用领域：
• 雷达
• 通信
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 双通道私人电台
技术顾问：叵仄兮
相关技术文档：
Intersil ISL78420半桥驱动器数据手册 详情>>>
世强元件电商版权所有，转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 6
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（6）
-
![]()
![]()
cherryyang Lv7. 资深专家 2021-07-31学习 -
![]()
![]()
Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-07-31签到学习 -
![]()
![]()
温暖 Lv4. 资深工程师 2018-01-17学习一下 -
![]()
![]()
亲亲长颈鹿 Lv4. 资深工程师 2017-12-19看一下 -
![]()
![]()
MarsSu Lv4. 资深工程师 2017-12-06萨德 -
![]()
![]()
自强 Lv7. 资深专家 2017-11-12这个真不错。
相关推荐
【产品】0.15μm pHEMT改进型高电子迁移率晶体管PH15，主要应用于高频电路
PH15是UMS公司推出的一款射频二极管，该二极管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,与其他同类产品相比，PH15具有很低的输入电容与反馈电阻。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过140fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。
【产品】1.2-1.4GHz氮化镓高电子迁移率晶体管CHZ015AaQEG，非常适合脉冲雷达应用
UMS的CHZ015AaQEG是一种输入匹配的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它可以为L波段的各种射频功率应用提供宽带解决方案。该电路非常适合脉冲雷达应用，提出了一种0.5μm栅长氮化镓高电子迁移率晶体管工艺。它基于准微波单片集成电路技术，采用符合RoHS标准的SMD封装。
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
正芯 - GALLIUM NITRIDE FETS,GAN 650V GAN HEMT,GAN FETS,氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管,氮化镓场效应晶体管,RC65D270E SERIES,RC65D270E,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。
2KK8006NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）两种类型的SMD器件。重点阐述了2KK8006NEDFN型号的GaN HEMT的特性，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸等，并比较了其在提高效率、降低损耗方面的优势。
科信 - MOSFET,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN HEMT,2KK8006NEDFN,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,快速充电器,TELECOM,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,FAST CHARGER,伺服电动机,工业
CE65H270TOEI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
该资料介绍了Corenergy公司生产的CE65H270TOEI系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。
CORENERGY - GALLIUM NITRIDE FETS,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,GAN HEMT,CE65H270TOEI SERIES,CE65H270TOEI,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
正芯 - GALLIUM NITRIDE FETS,GAN 650V GAN HEMT,GAN FETS,氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管,氮化镓场效应晶体管,RC65D270B,RC65D270B SERIES,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
科信 - MOSFET,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN HEMT,2KK8007NEDFN,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,快速充电器,TELECOM,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,FAST CHARGER,伺服电动机,工业
RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
正芯 - GALLIUM NITRIDE FETS,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,GAN HEMT,RC65D600E,RC65D600E SERIES,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频晶体管的偏置电路设计
UMS推出的的氮化镓射频大功率放大器CHK025-SOA为设计原型。CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。
2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
科信 - MOSFET,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN HEMT,2KK8005NEDFN,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,快速充电器,TELECOM,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,FAST CHARGER,伺服电动机,工业
氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
UMS - 氮化镓高电子迁移率晶体管工艺,GAN HEMT PROCESS,GH15,PT TO PT RADIO,5G,宽带放大,SATCOM,雷达,RADAR,卫星通信,HI-REL PRODUCTS,HI-REL产品,点对点无线电,BROADBAND AMPLIFICATION
CE65H450DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
该资料详细介绍了Corenergy公司生产的CE65H450DNCI系列650V、450mΩ氮化镓（GaN）FET器件。这些器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻，与传统硅器件相比，提供更高的效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸和重量。资料中还包括了产品的电气参数、热阻、典型特性和封装尺寸等信息。
CORENERGY - GALLIUM NITRIDE FETS,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,GAN HEMT,CE65H450DNCI,CE65H450DNCI SERIES,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
电子商城
现货市场
服务
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址： 深圳 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论