【产品】150V/80A采用Super Trench技术的N沟道功率MOSFET RM80N150T2
丽正国际推出的 N沟道功率MOSFET RM80N150T2，采用Super Trench技术，提高高频开关特性，该元件是高频开关和同步整流器理想元件之一。漏极-源极电压为150V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为80A，漏极脉冲电流为320A，最大功率耗散为210W，单次脉冲雪崩能量为672mJ，热阻RθJC为0.71℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。
导通延时典型值为17ns，上升时间典型值为35ns，关断延时典型值为32ns，下降时间典型值为9ns。总栅极电荷为44.1nC，栅-源电荷为19.6nC，栅-漏电荷为7.1nC，
主要特征：
漏极-源极电压VDS=150V，漏极连续电流ID=80A，RDC(ON)小于12.5mΩ@VGS=10V；
极低栅极电荷和RDS(ON)的乘积；
非常低的导通电阻RDS(ON)；
高达175℃工作温度；
引脚无铅电镀；
100% UIS全测试；100%Vds全测试
应用领域：
DC/DC转换器；
理想的高频率开关和同步整流器元件；
无卤素材料
下图1为产品元件符号与和尺寸图。
图1 产品外形和电路符号
封装尺寸见下图3所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
丽正国际N沟道RM80N150T2的包装信息如下：
型号：RM80N150T2；
丝印编码：80N150；
封装：TO-220-3L
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由会飞的狼翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
【产品】40V/150A N沟道功率MOSFET RM150N40DF，采用Super Trench技术
丽正国际推出的N沟道功率MOSFET ，型号为RM150N40DF，采用Super Trench技术，独特的工艺，提高开关特性，由于其具有低导通电阻RDS（ON）和低总栅极电荷Qg，使其具有最小的传导和开关功耗，非常适合高频开关和同步整流应用。极限参数：漏极-源极电压40V，栅极-源极电压±20V，漏极连续电流150A，最大功率耗散及工作和存储温度等其他详细参数见表。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI255N04PQ
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
DI201N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI201N04PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI201N04PQ-AQ,DI201N04PQ
【产品】30V/10A N沟道功率MOSFET DI010N03PW, 采用QFN2x2节省空间的封装
Diotec推出商业等级N沟道功率MOSFET DI010N03PW，该器件漏源电压30V，漏极持续电流可达10A（25℃），导通电阻约为10mΩ，同时该器件采用QFN2x2节省空间的封装，具有剖面低，尺寸小的优点。
DI050N06D1 N沟道功率MOSFET\n
描述- 本资料介绍了DI050N06D1型N沟道功率MOSFET的特性和应用。该器件采用先进的 trench 技术制造，具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点。适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI050N06D1-AQ,DI050N06D1,DI050N06D1-Q
【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流
NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】800V/7.0A的N沟道功率MOSFET SLP7N80C、SLF7N80C，典型栅极电荷仅40nC
SLP7N80C、SLF7N80C这两款800V N沟道功率MOSFET，栅极电荷低（典型值仅40nC），开关速度快，最大漏源导通电阻为1.9Ω（@VGS=10V），非常适合低压应用，如便携式和电池供电产品中的DC/DC转换器、电源管理的高效转换应用。
DI2A7N70D1K N沟道功率MOSFET
描述- 该资料为DI2A7N70D1K型N沟道功率MOSFET的数据手册。内容包括产品特性、静态与动态特性曲线、热特性参数、封装尺寸和典型应用领域。
型号- DI2A7N70D1K
SL2302 N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SL2302 N沟道功率MOSFET的特性。它具有20V的漏源电压、2.8A的连续漏极电流和低导通电阻（RDS(ON)小于85mΩ）。产品具备高功率处理能力，采用无铅表面贴装封装。适用于DC/DC转换器和负载开关。
型号- SL2302
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
DI1A0N60D1 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI1A0N60D1型N通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸以及应用领域。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、同步整流器等。
型号- DI1A0N60D1-Q,DI1A0N60D1-AQ,DI1A0N60D1
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论