【产品】150V/80A采用Super Trench技术的N沟道功率MOSFET RM80N150T2
丽正国际推出的 N沟道功率MOSFET RM80N150T2，采用Super Trench技术，提高高频开关特性，该元件是高频开关和同步整流器理想元件之一。漏极-源极电压为150V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为80A，漏极脉冲电流为320A，最大功率耗散为210W，单次脉冲雪崩能量为672mJ，热阻RθJC为0.71℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。
导通延时典型值为17ns，上升时间典型值为35ns，关断延时典型值为32ns，下降时间典型值为9ns。总栅极电荷为44.1nC，栅-源电荷为19.6nC，栅-漏电荷为7.1nC，
主要特征：
漏极-源极电压VDS=150V，漏极连续电流ID=80A，RDC(ON)小于12.5mΩ@VGS=10V；
极低栅极电荷和RDS(ON)的乘积；
非常低的导通电阻RDS(ON)；
高达175℃工作温度；
引脚无铅电镀；
100% UIS全测试；100%Vds全测试
应用领域：
DC/DC转换器；
理想的高频率开关和同步整流器元件；
无卤素材料
下图1为产品元件符号与和尺寸图。
图1 产品外形和电路符号
封装尺寸见下图3所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
丽正国际N沟道RM80N150T2的包装信息如下：
型号：RM80N150T2；
丝印编码：80N150；
封装：TO-220-3L
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