【产品】基于E型硅基GaN技术的650V N沟道功率GaN HEMT，具有极低输入电容和零反向恢复电荷

时间： 2021-11-26 来源：时代速信

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时代速信推出的GHHS065200AD是一颗基于E型硅基GaN技术的650V N沟道功率GaN HEMT。它具有极低的导通状态电阻、极低的输入电容和零反向恢复电荷，特别适用于对功率密度、开关频率和效率有较高要求的应用。

特征

· 650V GaN E-mode功率晶体管

· 175mΩ低电阻

· 零反向恢复电荷

· 8x8mm封装，0.85mm剖面

· 最小的封装电感

应用

· AC-DC转换器

· DC-DC转换器

· 图腾柱PFC

· 快速充电

· 同步整流

· 高密度电源转换

· 高效电源转换

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