【产品】基于E型硅基GaN技术的650V N沟道功率GaN HEMT，具有极低输入电容和零反向恢复电荷
时代速信推出的GHHS065200AD是一颗基于E型硅基GaN技术的650V N沟道功率GaN HEMT。它具有极低的导通状态电阻、极低的输入电容和零反向恢复电荷，特别适用于对功率密度、开关频率和效率有较高要求的应用。
特征
· 650V GaN E-mode功率晶体管
· 175mΩ低电阻
· 零反向恢复电荷
· 8x8mm封装，0.85mm剖面
· 最小的封装电感
应用
· AC-DC转换器
· DC-DC转换器
· 图腾柱PFC
· 快速充电
· 同步整流
· 高密度电源转换
· 高效电源转换
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型号- GHHS065400AD,GHLS006010AQ,GHHD065400AQ,GHLS010036AD,GHHS065200AD,GHHD065200AQ,GHHD065080AT,GHHS065400CD,GHHS065200BD,GHHS065400BD,GHHS065200CD,GHHD065040AT,GHHS065080AQ,GHHS065040AQ,GHLS010036AQ
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