【应用】N沟道增强型功率MOSFET HM2N10C用于电源适配器，漏源击穿电压高达100V

时间： 2023-05-14 来源：世强

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电源适配器可以将电源的电压和电流适配为目标设备所需的电压和电流，需要注意的是，不同的设备需要不同类型和规格的电源适配器，因此很多设备都需要针对性的设计独立的电源适配器。此外，电源适配器的质量也很重要，不合格的电源适配器可能会对设备造成损害，甚至会引发安全隐患，MOSFET可以作为电源适配器的电源开关，用于控制电源的输出电压和电流。作为电源适配器的关键器件，MOSFET在进行电源适配器电路器件选型时，需要仔细评估。

电源适配器需要进行电压转换，因此MOSFET耐压要高，满足电源适配器的电压需求，避免出现过压击穿。电源适配器的功率和输出电流决定了所选用MOSFET的功率和电流大小，如果MOSFET的功率和电流额定值不足，会导致它无法承受电源适配器的电流和功率，从而造成损坏或过热。MOSFET封装要小，以便降低电源适配器的尺寸，节省成本。

笔者比较推荐虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2N10C，环境温度25℃，VGS=0V，ID=250μA时，HM2N10C漏源击穿电压最小值高达100V，能满足12V，24V，48V等的电源系统需求，应用范围广，避免MOSFET过压击穿，提高了电源适配器的可靠性。

环境温度25℃，HM2N10C的连续漏极电流极限值高达1.5A，最大功耗高达1.25W，通流能力强，并且结温范围宽至-55到150℃，器件的温度等于环境温度加上器件自身温升，器件结温越高，允许的自身温升就越大，从而通流能力就越强，可以避免功率过大导致的器件严重发热，提高了电源适配器的工作稳定性。

HM2N10C采用SOT-23封装，封装尺寸小，将以减小电路板面积，同时贴片封装能提高生产效率，降低电源适配器的整体成本，提高产品竞争力。

虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2N10C漏源击穿电压高，工作结温高，通流能力强，封装尺寸小，可以提高电源适配器的可靠性，以及工作稳定性，降低电源适配器的成本，提高产品竞争力。

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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-05-29

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虹美功率半导体N沟道低压MOS选型表

N沟道低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：15~200，ID(Max) (A)：0.17~37，IDM (A)：0.68~110，VTH (Typ) (V)：0.45~3.4，VGS (V)：6~30，RDS(ON) @10VTyp (mΩ)：2.9~5000，RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)：3.9~3000，RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)：5.5~370

产品型号	品类	沟道(Polarity)	VDS(Max) (BVDSS(V))	ID(Max) (A)	IDM (A)	VTH (Typ) (V)	VGS (V)	RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)	RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
HM2302	N沟道低压MOS	N沟道	20V	3A	10A	0.7V	10V	30mΩ	37mΩ