【产品】60V/4A N沟道增强型FET MMFTN6034，其漏源导通电阻最大值为34mΩ
DIOTEC（德欧泰克）新推出的N沟道增强型FET MMFTN6034，采用SOT-23（TO-236）外壳封装，具有开关速度快的产品特性，器件符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定，最大额定参数和电气特性方面，TA=25℃时，漏-源电压为60V，栅-源电压为±20V，直流漏极电流为4A，器件存储温度范围宽至-55~+150℃，结至环境热阻值为166K/W。当VGS=10V和ID=170mA时，器件漏源导通电阻最大值为34mΩ，当VGS=4.5V和ID=170mA时，器件漏源导通电阻最大值为46mΩ，漏-源漏电流最大值为1μA@VDS=48V，漏-源击穿电压最小值为60V@ID=250μA。器件主要应用于信号处理应用，驱动器，逻辑电平转换器，商业级以及工业级应用等领域。
产品封装及PIN脚图如下所示：
主要特征
开关速度快
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
信号处理应用
驱动器
逻辑电平转换器
商业级应用/工业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：3000/7”
重量约0.01g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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