数明半导体将携十款高可靠模拟驱动器芯片，亮相ELEXCON深圳国际电子展

2022年11月6日-8日，ELEXCON电子展强势来袭！本届展会聚焦“车规芯片及元件”、“嵌入式与AIoT”、“SiP与先进封测”、“国产化元器件选型”4大核心展示主题，即将汇集全球400+优质品牌厂商，展示前沿技术新品和解决方案，现场同期举办近20场专业技术论坛。

数明半导体将携数款产品登陆ELEXCON电子展与芯师爷共同推出的“芯师爷IC设计专区”，诚邀各位莅临参观1X11-7数明半导体展台。

1、关于上海数明半导体有限公司

数明半导体成立于2013年，聚焦于研发高性能、高可靠的模拟芯片并提供系统的整体解决方案。以客户为中心、市场为导向、质量为根本，始终坚持以“专业、专注、创新、高效”为经营理念，核心技术和IP均为自研，拥有独立自主知识产权，获得ISO9001:2015和国家知识产权体系认证。

作为“高新技术企业”，数明半导体于2022年先后获评上海市“专精特新”企业和国家级专精特新“小巨人”企业。公司产品涵盖驱动芯片、信号与接口芯片、电源管理芯片等，数款产品已先后获得：UL安规认证、CQC认证、VDE安规认证，并通过AEC-Q100车规级可靠性标准。目前产品已广泛应用于工业控制、电源管理、光通讯、新能源及汽车等领域。专注驱动、扎根三电，致力于成为国内领先的模拟芯片供应商。

2、参展产品介绍

• SLM34x系列-兼容光耦单通道的隔离式栅极驱动器
  

SLM34x是单通道兼容光耦的隔离式栅极驱动器产品系列，适用于驱动IGBT、MOSFET。可提供1.0A~4.0A的峰值驱动电流，并可支持不同的UVLO电压。兼容光耦栅极隔离驱动器的管脚，与光耦栅极驱动器相比，关键性能及可靠性均有显著的提升，性能提升包括：高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和较小的脉宽失真。输入级是一个“模拟二极管”，与传统光耦相比，没有老化问题，具有更高的可靠性。采用SOP6W封装，爬电和间隙距离大于8.5mm，相对漏电起痕指数（CTI）大于600V。

SLM34x（0；1；3；5；6）已顺利通过VDE增强隔离检测认证，符合最新的DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17):2021-10；EN IEC 60747-174:2020+AC:2021标准。SLM34x的高性能和高可靠性使其非常适合用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器等。

• SLMi33x-兼容光耦单通道带保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器

SLMi33x隔离式驱动器产品系列是先进的光耦兼容单通道隔离式IGBT栅极驱动器，具有主动保护功能，包括去饱和过流检测、UVLO、故障检测和米勒钳位。SLMi330/1的峰值输出电流为1.5A，SLMi332/3为2.5A，SLMi334/5为4.0A，并且SLMi330/3/5提供自动故障复位功能。不带后缀H的产品的默认去饱和过流检测阈值为6.5V，带后缀H的产品的默认去饱和过流检测阈值为9V。输入侧电源电压范围为3V~18V，输出侧电源电压电压范围为14V~40V。所有电源电压引脚都有欠压锁定（UVLO）保护功能。

内部去饱和（DESAT）过流检测可判断IGBT何时处于过流状态。当检测到过流信号后，故障信号通过隔离栅，将输入侧的FAULT输出拉低并阻止隔离驱动器的输入。当IGBT驱动采用双电源供电时，若IGBT关断，驱动输出可电压钳位至VEE。输出电源是单极时，可以使用米勒钳位电路，允许米勒电流通过低阻抗路径，防止IGBT被意外开通。

SLMi33x符合UL1577标准，SOP16W封装中的5kV隔离耐压，共模瞬态抗扰度（CMTI）最小值为150kV/μs。

• SLMi350-兼容光耦的单通道隔离驱动器

SLMi350是一款单通道兼容光耦隔离式栅极驱动器，具有4A/7A的拉电流/灌电流以及3.75kV增强隔离耐压值，适用于驱动低边侧和高边侧的MOSFET和IGBT。与光耦栅极驱动器相比，SLMi350具有高共模瞬态扰度（CMTI）、低传播延迟和较小的脉宽失真等关键性能的提升，同时保持了对光耦栅极隔离驱动器的管脚兼容性。

SLMi350的输入级为一个“模拟二极管”，与传统光耦相比，无老化问题，具有更高的可靠性。SLMi350采用DIP8GW封装，爬电和间隙距离大于7.0mm，相对漏电起痕指数（CTI）>600V。

• SLMi823x系列-双通道死区可编程隔离驱动器

SLMi823x产品系列是具有不同配置的双通道隔离栅极驱动器。SLMi8230/3配置为双输入的高/低半桥驱动器，SLMi8231/4配置为单输入的高/低半桥驱动器而SLMi8232/5配置为双输入双输出驱动器。另外，SLMi8230/1/2的峰值输出电流为1.0A/1.5A，SLMi8233/4/5的峰值电流为4.0/7.0A。并且SLMi8230/1/3/4提供可编程死区（DT）功能。将DIS引脚拉高的同时会关闭两个输出，并允许在开路或拉低时正常运行。

所有输出驱动器的VDDA/B电源电压支持范围为9V~40V，输入端VDDI可支持3V~18V的输入，所有电源电压引脚都有欠压锁定（UVLO）保护功能，使得驱动器适合模拟和数字控制器接口。超高CMTI低传输延迟、小封装、灵活性和成本优势使得SLMi823x非常适合作为MOSFET/IGBT、SiC和GaN场效应管的隔离驱动。

• SLMi5350-±10A单通道隔离式栅极驱动器

SLMi5350是可支持10A峰值输出电流，具有不同配置的单通道隔离式栅极驱动器系列产品。SLMi5350S提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。SLMi5350M可提供内部钳位功能。驱动器的电源电压为4.2至30V。所有电源电压引脚都有欠压锁定（UVLO）保护。 

根据UL1577的标准，SLMi5350在SOP8封装中提供3.0kV_RMS隔离，在SOP8W中提供5.0kVRMS隔离。高CMTI、低传播延迟、小尺寸、灵活性和成本效益使SLMi5350系列适用于各种MOSFET，IGBT和SiC MOSFET以及GaN FET的栅极驱动应用。

• SLMi5992SH/5932系列【新品预告】±12A单通道隔离式栅极驱动器

SLMi5992SH是一款先进的单通道隔离驱动器，具有主动保护功能，如：去饱和检测、欠压锁定、隔离故障检测和米勒钳位。峰值拉灌电流都是12A。输入侧电源供电范围为2.25V~5.5V，输出侧电源电压供电范围为13V~40V。所有电源电压引脚均具有欠压锁定（UVLO）保护。

内部去饱和（DESAT）过流检测可判断IGBT是否处于过流状态，当检测到过流信号后，故障信号通过隔离栅，将输入侧的FAULT输出拉低并阻止隔离驱动器的输入。当IGBT驱动采用双电源供电时，若IGBT关断，驱动输出电压可钳位至VEE2。输出电源是单极时，可以使用米勒钳位电路，允许米勒电流通过低阻抗路径，防止IGBT在高压快速跳变条件下意外开通。输入信号与输出驱动器通过5kV_RMS增强隔离屏障进行隔离，最小可提供150kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI）。 

• SLM2005E-高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器

SLM2005E是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，支持半桥驱动架构。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术保证了芯片的可靠性和稳定性。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出电平，可支持低至3.3V逻辑输入。输出驱动器具有高脉冲输出电流。浮地通道可用于驱动高边配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达200V。 

• SLM2106-高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器

SLM2106是一款高压、高功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使整体结构更稳固。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL电平，低至3.3V逻辑输入。输出具有高脉冲驱动电流，浮地通道可用于驱动高边的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。同时还提供高低边供电的欠压锁定功能。

• SLM2136-600V三相高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器

SLM2136是一款用于三相应用的高压、高功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使芯片具有更高的可靠性。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL电平，低至3.3V逻辑输入。ITRIP管脚可以通过外部检测电阻，提供电流检测功能，在触发过流阈值后可以关断所有六个输出。使能控制管脚可以同时关断所有六个输出。FAULT管脚可提供故障信号，表示发生过流或欠压关闭，过流故障信号可在延迟一段时间后自动清除，该延迟时间可通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程。输出驱动器具有高脉冲电流输出级。较短的传输延迟匹配时间可以简化在高频应用中的使用。浮地通道可用于驱动高边的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

• SLM21814-大电流的600V HVIC高低边驱动产品

SLM21814是一款大电流的600V HVIC高低边驱动产品，峰值拉电流为2.5A，灌电流为3.5A，同时可为两个通道提供8.9V/8.2V的欠压锁定（UVLO）保护功能。2.5A/3.5A拉灌电流能力可实现10纳秒的上升时间以及8纳秒的下降时间，可以满足功率管快速开通与关断的需求。可广泛应用于服务器/电信/工业AC/DC、DC/DC电源模块、不间断电源（UPS）、EV充电、电机驱动等领域。

SLM21814相对于竞品具有驱动电流更大、耐压更高、抗负压能力强的优势，目前已经在AC/DC、DC/DC电源、逆变器、变频压缩机等不同领域的客户测试量产。