【应用】国产半桥MOS驱动SLM2009助力电动割草机,驱动电流达1.5A,最大工作电压25V
随着锂电池的广泛运用,割草机也由传统的燃油式改为电动式,电动式更加节能环保,使用轻便,受到广大消费者喜爱。
如图1为48V锂电池供电的电动割草电路图框,三相电机驱动部分主要采用三相全桥MOS管搭建驱动电机转动,而驱动MOS管主要使用到半桥驱动芯片。本文主要介绍国产数明半导体半桥MOS驱动SLM2009在48V电动割草机上运用的优势。
图1:电动割草电路图框
1、SLM2009为半桥高低边双路驱动(High-side /Low-side),当驱动MOS时可采用自举供电的方式给高侧MOS提供驱动电压,单颗双路驱动,节省布局空间,其驱动电路如图2所示;同时锂电池是48V供电,VB耐压达160V,故在设计使用时具有充足余量;
图2:SLM2009典型运用电路
2、SLM2009的Vcc工作电压最大达25V,应用时除本身工作需要供电以外,还考虑到MOS管驱动电压为12V,故其最大工作电压满足应用需求;
3、SLM2009的驱动电流IO+最大达1A,IO-最大达1.5A,具有较高驱动电流,便于驱动门极电荷量高的MOS,方便工程师选型多类品牌的MOS,提高设计的灵活性;
4、其开通和关断延时t-on/off(典型值)分别为150 ns、150ns,开通和关断延时时间较短,可提高MCU对电机控制的响应时间,提高电机控制效率;同时SLM2009内部具有防止上、下桥MOS直通设计,典型死区时间为110ns,极大提高产品可靠性;
5、SLM2009采用SOIC8,封装体积小,节省器件布局空间,可减轻割草机重量;
6、该驱动IC工作温度范围-40℃~125℃,适合户外、园林等割草机的使用环境场所。
图3: SLM2009封装以及管脚定义
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SLM2009 200V半桥驱动器规格书
描述- SLM2009是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高边和低边参考输出通道。它采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,实现坚固的单片结构。该逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持3.3V逻辑。输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级,专为最小化驱动交叉导通而设计。
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描述- 该资料介绍了SLM2009半桥驱动器,一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。它具有高电压、低导通电阻和高侧浮空通道设计,适用于高达160V的高压应用。SLM2009支持3.3V至5V的逻辑输入,并具备交叉传导防止逻辑、匹配传播延迟等功能。
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SLM2009 200V半桥驱动器
描述- SLM2009是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高边和低边参考输出通道。它采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,实现坚固的单片结构。该逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级,适用于最小化驱动交叉导通。
型号- SLM2009,SLM2009CA-DG
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【选型】半桥驱动器SLM2009CA-13GTR用于无人机,可PTP替代FD2103S, 通流能力更强
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描述- SLM2009是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高边和低边参考输出通道。采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持3.3V逻辑电平。该驱动器具备高脉冲电流缓冲级,适用于最小化驱动交叉导通。
型号- SLM2009,SLM2009CA-DG
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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