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【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用
CENTRAL设计的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。
【产品】用于高速开关的100V/250mA硅开关二极管CMPD914，反向恢复时间仅为4.0ns
Central公司推出的硅开关二极管 CMPD914，采用外延平面工艺制造，采用SOT-23封装，采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，功率损耗为350mW，反向恢复时间较短，时间trr最大值为4.0ns。专为高速响应开关应用而设计。
【产品】100V/4A，SOD-523封装超高速硅开关二极管，开关速度仅为4.0ns
Central的CMOD4448是一款SOD-523封装的通过外延平面工艺制造的超高速硅开关二极管，在ULTRAmini表面贴装封装中采用环氧树脂材质，且采用SOD-523封装方式，拥有较小的尺寸。它有着极快的开关速度，trr仅4.0ns，专为高速开关应用而设计。
CMSD2004S表面贴装双串联硅开关二极管
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMSD2004S型硅开关二极管。该器件采用外延平面工艺制造，适用于需要高电压能力的应用。
型号- CMSD2004S TYPE,CMSD2004S
【产品】拥有500pA超低泄漏电流的硅开关二极管
CMPD6001系列是CENTRAL半导体公司推出的硅开关二极管，其具有低功耗，以及超低的泄漏电流，可用于需要低泄漏二极管的开关应用中，适合工业上高温的环境。
CMSD2005S表面贴装双串联高压硅开关二极管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMSD2005S高压硅开关二极管。这些二极管采用外延平面工艺制造，封装于SOT-323表面贴装包装中，适用于需要高电压能力的应用。
型号- CMSD2005S
【产品】包含两个独立的硅开关二极管的120V/250mA表面贴装高速开关二极管
CMLD4448是Central公司推出的一款高速开关二极管产品，包含两个独立的硅开关二极管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压成SOT-563表面贴装封装，专为高速开关应用而设计。CMLD4448的峰值重复反向电压VRRM为120V，连续正向电流为IF250mA，峰值重复正向浪涌电流IFRM为500mA，高电压、大电流使其适用于更多的开关应用。
CMOD4448表面贴装高速硅开关二极管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMOD4448型号超高速硅开关二极管。这种二极管采用外延平面工艺制造，环氧树脂密封在ULTRAmini™表面贴装封装中，适用于高速切换应用。
型号- CMOD4448
CMSD4448表面贴装高速硅开关二极管
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMSD4448型号超高速硅开关二极管。该器件采用外延平面工艺制造，封装于环氧塑封SUPERminiTM表面贴装包装中，适用于高频切换应用。
型号- CMSD4448,CMSD4448 TYPE
【产品】反向恢复时间低于4.0ns的高速硅开关二极管裸片
Central推出的CPD83V-1N914A，CPD83V-1N4148和CPD83V-1N4454是硅高速开关二极管，适用于所有类型的商业，工业，娱乐和计算机应用,具有耐压高、正向压降低以及反向恢复时间极短等优点。
CMPD7000E增强规格表面贴装双串联硅开关二极管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMPD7000E增强型双串硅开关二极管。这种器件采用外延平面工艺制造，封装于环氧树脂模压表面贴装SOT-23包装中，适用于高速切换应用。
型号- CMPD7000E,SOT-23
CMSD6001 CMSD6001A CMSD6001C CMSD6001S表面贴装超低漏硅开关二极管
描述- CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD6001系列硅开关二极管采用外延平面工艺制造，环氧塑封在SUPERmini™表面贴装封装中，专为需要极低漏电的二极管切换应用设计。该器件设计为无卤素。
型号- CMSD6001A,CMSD6001 SERIES,CMSD6001C,CMSD6001S,CMSD6001
【产品】采用SOT-26表贴封装的CMXD6001硅开关二极管，外延平面工艺制造，超低反向电流仅为500pA
Central公司推出的一款高压开关二极管——CMXD6001，其由三个隔离的高压硅开关二极管组成。其通过外延平面工艺制造，并采用SOT-26表贴封装，超低的泄露。同时，工作和存储结温范围大，在恶劣的环境条件下也可正常工作。主要应用于电力电子功率器件和电力电子功率模块等电子领域。
【产品】极低泄漏电流仅5.0μA的硅开关二极管CMLD3003DO、CMLD3003DOG，助力各类开关应用
Central Semiconductor公司推出的硅开关二极管CMLD3003DO和CMLD3003DOG 包含两个隔离的相对配置，采用外延平面工艺制造，采用SOT-563封装，采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，低反向漏电流最大值为5.0μA（VR=180V, TA=150°C）。这些器件专为需要极低泄漏的开关应用而设计。
【产品】反向恢复时间仅2.0ns的硅开关二极管CMLD4448DO、CMLD4448DOG
Central公司推出的硅开关二极管CMLD4448DO和CMLD4448DOG均包含两个隔离的相对配置，通过外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，反向恢复时间较短，时间trr典型值为2.0ns，连续正向电流IF为250mA。该器件专为高速开关应用而设计。
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品牌：Central Semiconductor
品类：SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE
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