【经验】 解决光模块缓启动电路中NTJD4152P-D缺货影响，CMKDM8005双通道P-MOS管可pin-pin替代
在市面上，光模块电源缓启动电路中使用比较多的是ON Semiconductor公司的NTJD4152PT1G 20V/0.88A带ESD防护功能的双通道P-MOS管，封装为SOT-363，因目前NTJD4152PT1G严重缺货及供货交期过长（48W以上），更多客户急需寻找一款可pin-pin兼容、产品性能相当、货期更好的双沟道P-MOS管做替换。
针对如上设计需求，本文推荐一款Central Semiconductor推出的同样带ESD防护功能的双通道P-MOS管CMKDM8005，其电性参数与NTJD4152PT1G电性参数对比参考如下表1所示。
表1：双通道P-MOS管CMKDM8005和NTZS3151PT1G电性参数对照表
通过如上电性参数对照表易知：
1、Central Semiconductor的双通道P-MOS管CMKDM8005具有更低的栅极电荷（低至1.2nC，其中Qg是一个mos管从关断状态到饱和导通状态），更宽的操作温度范围（低温至-65℃）等技术优势。
2、不过，O公司的双通道P-MOS管NTJD4152PT1G在最大漏极电流（ID=0.88A）、最大源极电流（IS=0.48A）、导通电阻（RDS(on)=215mΩ）等方面相对具有更好的特性参数。
下面再提供下双通道P沟道MOSFET CMKDM8005和NTZS3151PT1G内部功能框图和pin脚定义示意图，参考如下图1所示。
图1：双沟道P-MOS管CMKDM8005和NTZS3151PT1G内部功能框图和pin脚定义示意图
通过如上图示易知：
双通道P-MOS管CMKDM8005和NTJD4152PT1G两者pin脚定义完全一致，可实现pin-pin替代，同时在双通道P-MOS管的栅极（G极）-源极（S极）间均有一颗双向TVS管做耐压防护，可以提升产品的抗ESD能力。
最后，总结下CMKDM8005双通道P沟道MOSFET的器件优势：
1、 性能优势：可以参考表1中字体加粗的部分。
2、 货期优势：目前ON Semiconductor物料市场缺货严重，参考货期：48W 以上，而Central Semiconductor：参考货期: 19-22W；
3、 高可靠性：光模块全球前三大，Finisar，Avago，富士康，恒宝通等都在用Central Semiconductor的CMKDM8005，产品的可靠性得到保障。
4、 现货样品：仓库有现货，可以满足客户的样品需求。
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-10-31不错 -
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BaLun Lv3. 高级工程师 2018-10-31学习了！ -
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我是来学习的哈哈啊 Lv5. 技术专家 2018-10-31感谢 -
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黑云 Lv6. 高级专家 2018-10-31经验呀，不错 -
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A1104 Lv7. 资深专家 2018-10-31学习 -
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用户71119603 Lv6. 高级专家 2018-10-31好文，谢谢分享 -
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卍君卍 Lv7. 资深专家 2018-10-31学习 -
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流水 Lv7. 资深专家 2018-10-31好料，学习了 -
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李传喜 Lv4. 资深工程师 2018-10-31终于了解GS之间的防护措施了
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描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMKDM8005型表面贴装硅双P-通道增强模式MOSFET。这些MOSFET适用于高速脉冲放大器和驱动器应用，具有非常低的rDS(ON)和低阈值电压。
型号- CMKDM8005
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Central 公司CMKDM8005是双路P沟道增强型MOSFET，非常小的封装SOT-363， 它的封装采用非常小的贴片SOT-363 ，尺寸为2.2mm×2.3mm×1.1mm 。体积很小，效率高，便于布板，可以提高产品功率密度，适用于开关电源等产品中。
表面贴装硅双P沟道增强型MOSFET CMKDM8005
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMKDM8005型号双通道增强型硅P沟道MOSFET。这些MOSFET适用于高速脉冲放大器和驱动器应用，具有非常低的rDS(ON)和低阈值电压。
型号- CMKDM8005
CMKDM8005表面贴装硅双P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMKDM8005型双通道增强模式硅MOSFET。这些MOSFET适用于高速脉冲放大器和驱动器应用，具有非常低的rDS(ON)和低阈值电压。
型号- CMKDM8005
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CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
描述- CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM7590是一款增强型双通道P沟道MOSFET，适用于高速脉冲放大器和驱动器应用。该器件具有低rDS(ON)和低阈值电压的特点。
型号- CMRDM7590
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品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥1.5001
现货： 92
现货市场
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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