【产品】1200V/75A 超低损耗IGBT模块,是一款正温度系数器件
LITTELFUSE推出的MG1275S-BA1MM系列半桥电路IGBT模块有符合行业标准的S、D、或WB封装,额定值高达1200V和600A,通过将简单的MOSFET门极驱动器与双极晶体管的高电流和低饱和电压开关能力相结合,提供高效率和快速开关速度。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准。
图一:MG1275S-BA1MM电源半导体实物图
MG1275S-BA1MM电源半导体功能与特色:
·超低损耗
·高强度
·卓越防短路性能
·正温度系数器件
·采用快速续流二极管
MG1275S-BA1MM电源半导体应用:
·交流电机控制器
·变流器
·运动/伺服控制器
·电源
·太阳能逆变器
MG1275S-BA1MM电源半导体,电气特性如图所示:
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