【产品】1200V/75A 超低损耗IGBT模块,是一款正温度系数器件

2018-07-20 LITTELFUSE
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LITTELFUSE推出的MG1275S-BA1MM系列半桥电路IGBT模块有符合行业标准的S、D、或WB封装,额定值高达1200V和600A,通过将简单的MOSFET门极驱动器与双极晶体管的高电流和低饱和电压开关能力相结合,提供高效率和快速开关速度。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准。


图一:MG1275S-BA1MM电源半导体实物图


MG1275S-BA1MM电源半导体功能与特色:

·超低损耗

·高强度

·卓越防短路性能

·正温度系数器件

·采用快速续流二极管


MG1275S-BA1MM电源半导体应用:

·交流电机控制器

·变流器

·运动/伺服控制器

·电源

·太阳能逆变器


MG1275S-BA1MM电源半导体,电气特性如图所示:


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