【产品】60V/6.6A N沟道增强型MOSFET PJW7N06A-AU，专为负载开关、PWM等应用设计
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW7N06A-AU（60V/6.6A）N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJW7N06A-AU N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@10V, ID@6A<34mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V, ID@3A<40mΩ
•先进的沟槽工艺技术
•专为负载开关，PWM等应用设计
•通过车规AEC-Q101认证
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJW7N06A-AU N沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：SOT-223封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.043盎司，0.123克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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