ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。
SiC-SBD的可靠性
SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比，其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。一般人对于新事物、缺少实际业绩验证的产品都容易抱有偏见，希望下面给出的数据能够有助于解除疑虑。
在这里就SiC-SBD的可靠性试验进行说明。
这是ROHM的SiC-SBD可靠性试验数据。首先请看一下具体的项目和条件。
对于进行过半导体的可靠性探讨和实际评估的人来说，这些标准和条件应该都是司空见惯的。基本上是遵循EIAJ ED-4701的试验条件进行的试验。顺便说一下，这张表中写的是“EIAJ ED-4701”，EIAJ（日本电子机械工业协会）在2000年与JEIDA（日本电子工业振兴协会）合并成为JEITA（电子信息技术产业协会）。有的标准中尚残留有“EIAJ”的名称，现在“ED-4701”的正式名称是“JEITA ED-4701”。下图是JEITA ED-4701/100A的封面，仅供参考。
JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准，是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。在日本国内是通用的标准。也就是说，从上述可靠性数据可以看出，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。
另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式。关于dV/dt，这是当被施加较大的dV/dt时，SiC-SBD的外围结构被破坏的模式。不过ROHM的SiC-SBD，根据以往的调査，即使施加50kV/µs左右的dV/dt，也未发现该破坏模式。
关于dI/dt，在Si-FRD中存在当dI/dt较大时，恢复电流Irr变大，电流集中导致破坏的模式。可能有人担心同样的模式会不会在SiC-SBD中发生。在SiC-SBD中，恢复电流非常小，可以认为很难发生该模式。
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SiC肖特基势垒二极管
型号- SCR030KL,SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS215KGHR,SCS220KE2,SCS206AG,BSW180D12P3C007,SCT2450KE,SCS210AGHR,SCS220AE2,SCS205KG,SCT2H12NY,SCT2H12NZ,SCS212AGHR,SCS205KGHR,BSM120D12P2C005,SCS220KG,SCS240KE2AHR,SCS230KE2,SCS230KE2AHR,SCS230AE2,SCS100AG,SCS220KE2HR,SCT2160KE,SCS212AM,SCS212AJ,SCS210AM,SCS210AG,SCS212AG,SCS210AJ,SCT2080KE,SCS210KE2HR,BSM080D12P2C008,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS206AGHR,SCS220KGHR,SCS215AJHR,SCS210KGHR,SCS220AM,SCS220AJHR,SCS240AE2HR,SCS208AGHR,SCS220AJ,SCT2450KEAHR,SCS220AE,SCS212AJHR,SCS220AG,SCT3040KL,SCB030AL,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCS215AJ,SCT2120AF,SCS215AM,SCS240KE2,SCS215AG,SCS240AE2,SCT2160KEAHR,SCS215AE,SC12280KE,SCS230AE2HR,SCT3022KL,SCS210AJHR,SCT2750NY,SCS210KG,SCH2080KE,SCS206AJHR,SCS220AGHR,SCS215AGHR,SCS208AJ,SCS206AM,SCS208AM
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