【经验】 碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项
一、碳化硅肖特基二极管的可靠性
1、dv/dt、di/dt破坏通常情况下，当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时，器件都有可能因过压而损坏，因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数，避免此类问题的发生。
硅快恢复二极管反向恢复电荷高， 在di/dt 变化大的情况下，恢复电流Irr 变大且时间长，容易热击穿破坏半导体器件，而碳化硅肖特基二极管几乎没有反向恢复电流，大大降低了因反向恢复造成损坏的风险；同时，相对于硅快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管具有更低的开关损耗。
2、碳化硅肖特基二极管的可靠性测试结果
※根据规格书记载的电气特性来进行故障判定。
关于可焊性测试，判定标准是焊料盖面积≥95%。
※样品标准：采用可靠性水平90%，故障失效水平λ1=10%c=0的判定,根据 MIL- STD-19500的指数分布型计数一次抽样表。采用22个样本。
二、器件使用注意事项
1、静电防护
1）人体静电防护用品：防静电工作服、防静电鞋（鞋套）、手腕带、手套（指套）、防静电椅。
2）防静电物流传递用品：防静电包装（盒、箱、托盘等）、充填材料（泡沬塑料、发泡材料）、运转车、周转器具、存放柜（架）、传输带等。
3）防静电地坪：切割间是环氧自流坪，表面电阻104-106Ω，其他车间是PVC地板表面电阻106-109Ω。
4）防静电操作系统：工作台、工作椅、工具类（电烙铁、吸锡器、分路棒、维修工具、ESD防护夹具）等。
5）防静电接地：以建筑钢筋框架为主体与防雷接地共用，接地电阻小于1Ω。每层设置等电位箱。
6）环境控制系统：温度和湿度控制设备、环境洁净度控制系统。
7）专用生产装联设备：采取防静电措施的生产装联设备。
8）特殊防静电用具（品)：各类静电消除器（离子风静电淌除器、静电淌除刷等）、防静电剂（喷剂、腊、胶等）。这类用品配置或使用并不是必需的。根据实际需要来确定静电测量（监控）系统：静电电压（量）表、高阻测试仪、静电衰减时间测试仪、静电屏蔽性能测试仪、接地电阻测试仪等配套的测试用具和各种电极。
2、储存
1） 存储半导体器件的场所温度以5~35℃、湿度45~75%最为理想。特别是成形型的功率晶体管，若处于非常干燥的区域中，必须用加湿器加湿。另外，加湿时，如果使用自来水，由于水中含有氯元素，会导致设备的导线生锈，因此请注意使用纯净水。
2）请避开产生腐蚀性气体或灰尘很多的场所。
3）在温度急剧变化的场所，半导体器件的表面容易结露，因此请避开这类场所，将其保存在温度变化小的地方。
4）存储时，请不要在半导体器件上施加外力或负荷。特别是在叠放时会不经意中施加负荷。另外，请不要把重物放在半导体器件上。
5）半导体器件的外部端子请在未加工的状态下保存。如果端子加工过后再保存，由于生锈等情况会在产品实际安装时导致锡焊不良。
6）临时放置半导体器件时，请选用不容易产生静电的容器。
3、运输
半导体器件几大特点：
1）内部构造复杂：零部件生产精密，不能承受外力冲击、磕碰。
2）怕潮湿：受潮后，大量水汽会形成水渍，使金属接口氧化。
3）怕灰尘：油脂、灰尘、油脂的进入会妨碍器件接触不良，造成损害。
4）怕静电：过大的静电会击伤器件内的一些元件，造成零部件短路，最终直接损害器件。
因此在运输过程中，应注意采用防潮、防尘、防静电材料包装， 可选用物化性能稳定、机械强度大、透湿率小的材科，如有机塑料薄膜、有机塑料袋、发泡塑料纸（如PEP材料等）或聚乙烯吹塑薄膜等与产品外表面不发生化学反应的材料，进行整体防尘，防尘袋应封口，产品搬运时请不要碰撞或使其跌落。 以上本文基本半导体碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项。
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