【产品】漏源电压最大额定值为1200V的碳化硅功率MOSFET，符合RoHS规范，适用于电机驱动器

【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ

中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。

瑶芯微1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET，高效提升储能电站辅助电源性能

本文以瑶芯微的一款1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH为例，重点阐述了其高压、高效率的特性，非常适合用在储能电站的辅助电源系统中，为大家设计类似项目提供了一个较好的解决方案。

【产品】采用TO-247-4封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A030065L，导通电阻低至30mΩ

中电国基南方（CETC）推出的WM2A030065L是采用TO-247-4封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为55A，导通电阻RDS(on)低至30mΩ。

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，提供高电压、低阻值的单管方案

截止至2023年底，我国充电基础设施累计数量已超过800万台，充电桩市场还有很大的发展潜力。在该产品中，高效、可靠的充电桩模块是核心。这对功率半导体组件，提出了更高的要求。瑶芯微MOSFET AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。

瑶芯碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM-A用于车载充电器，可匹配绝大多数驱动方案

瑶芯微推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET漏源之间最大耐压值可达1200V，足以满足OBC应用需求。同时还有着较低的导通电阻，栅-源控制电压为15V时导通电阻仅有40mΩ，这显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了OBC的整体效率。

瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器，低阻值低损耗更具性价比

车载充电器（OBC）作为连接电动汽车与电网的关键组件，其销售额也在迅速增长，2024年第一季度装机量达到了170.12万套，同比增长42.68%。车载充电器可以直接从电源插座接收电力，为电动汽车提供便捷的充电方式，相比于车外充电器，OBC因尺寸和成本等限制，对效率和可靠性的要求更高。瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器，低阻值低损耗更具性价比。

国产1200V/80mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH，TO-247-3L封装，符合RoHS要求

瑶芯微1200V 、80mohm碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH具备高耐压、低漏源导通电阻，高速开关速度、低电容，低反向恢复电流、快速本征二极管等特性，无卤素，符合RoHS要求，适用于可再生能源，EV电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源。

瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，为充电桩模块提供高电压、低阻值的单管方案

高效、可靠的充电桩组成模块是需要考虑的核心问题之一。这对功率半导体组件，特别是高效能的功率MOSFET，提出了更高的要求。功率MOSFET在电能转换效率、系统可靠性和成本控制方面扮演着核心角色。瑶芯微的碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH正是面向未来的一种先进解决方案，其高电压和低阻值特性使其成为大功率充电桩模块设计中的理想选择。