【产品】40V/120A 采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM120N40LDV

时间： 2019-10-29 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM120N40LDV是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，导通电阻小、栅极电荷低，应用范围较广。在T_C=25°C时，RM120N40LDV可以承受的极限漏源电压为40V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为120A，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻为1.25℃/W。RM120N40LDV采用TO-252-2L封装，其引脚分布如图1所示。

图1 RM120N40LDV引脚分布

RM120N40LDV产品特性

•V_DS =40V,I_D =120A

R_DS(ON)<4.0mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)<7mΩ @ V_GS=4.5V

•高密度单元设计，可实现超低 R_DS(ON)

•全面表征雪崩电压和电流

•高E_AS，稳定性和一致性好

•出色的封装技术，具有良好的散热性能

•特殊工艺技术可实现高ESD能力

RM120N40LDV应用领域

•负载切换

•硬开关和高频电路

•不间断电源

RM120N40LDV订购信息

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