【技术】UMS中功率PH15 GaAs工艺,非常适合用于设计低噪声放大器、驱动器和多功能TX和RX

2020-11-08 UMS
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UMS公司(United Monolic Semiconductors)将开始在PH15 GaAs工艺上进行共享铸造。多功能晶圆的发布日期是2020年4月17日。


PH15 pHEMT工艺为低噪音,宽频带而优化,中功率MMICs最高可达80GHz。


PH15非常适合用于设计低噪声放大器、驱动器和多功能TX和RX,例如空间通信系统和汽车防撞雷达。


PH15已成功地进行了空间使用验证,并被欧洲航天局列入欧洲优选部件清单。


PH15可以将功率和低噪音性能集成在一块芯片上,适用于小型系统


应用实例



通过选择与QFN高容量包装能力相兼容的标准MMIC尺寸,您的项目将处于未来工业成功的道路上


主要特性


共享铸造厂定期提供哪些工艺?


UMS计划每年进行几次常规的共享铸造分享,以便设计师能够轻松地将设计融入到制造流程中,并为项目的推进安排提前做好准备。



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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

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