【技术】UMS中功率PH15 GaAs工艺，非常适合用于设计低噪声放大器、驱动器和多功能TX和RX

时间： 2020-11-08 来源：UMS

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UMS公司（United Monolic Semiconductors）将开始在PH15 GaAs工艺上进行共享铸造。多功能晶圆的发布日期是2020年4月17日。

PH15 pHEMT工艺为低噪音，宽频带而优化，中功率MMICs最高可达80GHz。

PH15非常适合用于设计低噪声放大器、驱动器和多功能TX和RX，例如空间通信系统和汽车防撞雷达。

PH15已成功地进行了空间使用验证，并被欧洲航天局列入欧洲优选部件清单。

PH15可以将功率和低噪音性能集成在一块芯片上，适用于小型系统。

应用实例

通过选择与QFN高容量包装能力相兼容的标准MMIC尺寸，您的项目将处于未来工业成功的道路上。

主要特性

共享铸造厂定期提供哪些工艺?

UMS计划每年进行几次常规的共享铸造分享，以便设计师能够轻松地将设计融入到制造流程中，并为项目的推进安排提前做好准备。

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

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产品型号	品类	Glin(dB) @ Freq(GHz)	Operating Frequency(GHz)	Saturated Power(W)	PAE(%) @ Freq(GHz)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHKA011aSXA	氮化镓功率晶体管	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Loss(dB)	Isolation(dB)	Type
CHS2412-QDG/20	射频开关	23	26	2.9	35	Reflective

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain RX(dB)	Gain TX(dB)	Pout TX(dBm)	NF RX(dB)	Number of Bit Atten.	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHC2442-QPG	传感器	24	24.5	37	VCO incl.	13.5	11.5	5	225	3.3	QFN

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产品型号	品类	Central Output Freq(GHz)	Resonator Freq	Tuning(MHz)	Noise @ 100KHz(dBc/Hz)	Output Power(dBm)	Bias(mA)	Case
CHV2270-98F/00	压控振荡器	12.7	1.2	-100	14	150	4.5	Die

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产品型号

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RF Bandwidth (GHz)min

RF Bandwidth (GHz)max

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)-min	RF Bandwidth (GHz)-max	Number of Bits	Phase range(°)	Insertion Loss(dB)	Phase Error(°p-p)	P-1dB IN(dBm)	Control voltage(V)	Case
CHP3010-QFG	射频移相器	1.2	1.4	6	360	7	-1/+3	24	0/3.3 or 5	QFN