【产品】1200V/690A半桥压接式IGBT功率模块，采用最新三菱芯片技术

时间： 2017-09-27 来源：Vincotech（世强编辑整理）

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VINCOTECH是电力电子行业功率模块市场的领先供应商，此次Vincotech公司为我们带来了其高性能半桥拓扑功率模块系列--VINcoDUAL E3。该系列功率模块具有低损耗、低成本和高可靠性等优势，非常适合用于工业驱动器、电源、UPS等领域。

VINcoDUAL E3的耐压值高达1200V，有四种电流规格可选，分别是300A、450A、600A、690A；存储温度范围为-40℃~125℃，在开关条件下的工作温度范围为-40℃~150℃。该系列模块采用了标准中功率工业封装VINco E3，尺寸为152mmx62 mmx17mm，驱动引脚可选择使用Vincotech全新的压接技术或者传统焊接方式，并且采用可靠的冷焊技术连接到PCB，不会造成PCB孔损坏，可实现循环使用。

VINcoDUAL E3还采用了三菱电机领先的第七代IGBT芯片技术--IGBT M7，实现了比第六代更薄的晶圆。其在整个温度范围内降低了导通电压，从而减少了总的功率损耗，而优化的开关特性提高了EMI抗扰度。此外，IGBT M7使得VINcoDUAL E3具有更小的尺寸，降低成本且增加了功率范围。

该系列功率模块采用了新开发的SLC（Solid Cover Technology）工艺，较传统的功率模块在设计上做了很大改善，将全新的绝缘金属基板（Insulated Metal Baseplate）与电绝缘树脂层（electrically insulating resin layer）结合，其中电绝缘树脂层上下直接粘合铜层（copper layer），取代了传统工艺的衬底焊料层，将基板分离出来，这样设计的优点是：1、高热循环能力；2、减少热阻；3、高功率密度和低杂散电感。

VINcoDUAL E3还为用户提供了预涂相变材料，其在常温下是固体，所以在模块运输、安装和使用过程中，不会被破坏和污染，使用非常方便；其导热率达到3.4W/Km，是正常硅脂的三倍，导热效果大大提高。预涂相变材料的使用可以有效提升客户生产效率，同时又能有效降低由于导热材料涂抹不均匀引起的散热性能降低带来的风险。

该系列功率模块半桥开关的集电极发射集电压高达1200V，门极电压为±20V，最高结温为175℃；其半桥二极管的峰值重复反向电压达1200V，重复峰值正向电流最高可达1500A，总的功率损耗最低为432W。

图1 VINcoDUAL E3实物图

图2 VINcoDUAL E3内部尺寸图

图3 VINcoDUAL E3内部原理图

VINcoDUAL E3产品特性：

• 采用标准中功率工业封装

• 可选择使用压接引脚或焊接引脚

• 使用冷焊连接到PCB，不会造成PCB孔损坏

• 采用三菱电机IGBT M7芯片技术

• 采用了全新开发的SLC工艺

• 提供预涂相变材料

VINcoDUAL E3应用领域：

• 工业驱动器

• 电源

• UPS

选型指南：

技术顾问：零点

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全部评论（11）

小小哥布林 Lv7. 资深专家 2018-02-27

不错
CIS0211 Lv7. 资深专家 2018-02-15

模块还不错
我就是我 Lv7. 资深专家 2018-01-11

不错的功率模块
yang Lv4. 资深工程师 2017-12-26

了解了解
印象 Lv5. 技术专家 2017-12-22

学习了

因你而变 Lv4. 资深工程师 2017-11-03

支持一下！
小倾听 Lv8. 研究员 2017-10-24

不错
志成 Lv7. 资深专家 2017-10-17

不错，支持
慧慧1985 Lv7. 资深专家 2017-10-13

学习一下
luosai Lv8. 研究员 2017-09-29

挺有帮助

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3

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