【产品】最高时钟频率达到166MHz的NOR Flash GD25LF32E,电源电压范围在1.65-2.0V之间

2021-01-09 兆易创新
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业界领先的半导体器件供应商兆易创新(GigaDevice)推出的GD25LF32E(32M-bit)串行闪存,支持标准串行外围接口(SPI)和双路/四路SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2、I/O3。 双路I/O数据以332Mbits/s的速率传输,而四路I/O数据以664Mbits/s的速率传输,DTR四路I/O数据以832Mbits/s的速率传输。

GD25LF32E NOR Flash最高时钟频率达到166MHz(30PF负载下),电源电压范围在1.65-2.0V之间,允许XiP(芯片内执行)操作,高速读取减少了整个XiP指令的获取时间。并且产品编程/擦除速度快,页面编程时间典型值为0.4ms,扇区擦除时间典型值为40ms。



产品特性:

◆32M-bit串行闪存

   -4096K字节

  -每个可编程页面256字节

◆标准、双路、四路SPI、QPI、DTR

  -标准SPI:SCLK,CS#,SI,SO,

  -双路SPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,

  -四路SPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,IO2,IO3

  -QPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,IO2,IO3

  -SPI DTR(双传输速率)读取

◆高速时钟频率

  -30PF负载下快速读取时可达166MHz

  -双路I / O数据传输速率高达332Mbits / s

  -四路I / O数据传输速率高达664Mbits / s

  -QPI模式数据传输速率高达664Mbits / s

  -DTR 四路I / O数据传输速率高达832Mbits / s

◆软件写入保护

  -写保护通过软件启用全部/部分内存

  -顶部/底部保护

◆耐久性和数据保留

  -至少100,000次编程/擦除周期

 -典型的20年数据保留

◆允许XiP(芯片内执行)操作

  -高速读取减少了整个XiP指令的获取时间

  -使用Wrap进行连续读取,进一步减少了填满SoC缓存的数据延迟

◆编程/擦除速度快

  -页面编程时间:典型值为0.4ms

  -扇区擦除时间:典型值为40ms

  -块擦除时间:典型值为0.15s / 0.2s

  -芯片擦除时间:典型值为8秒

◆灵活的架构

  -4K字节的统一扇区

  -32 / 64K字节的统一块

◆低功耗

  -10μA典型待机电流

  -1μA典型的深度掉电电流

◆高级安全功能

  -每个设备的128位唯一ID

  -串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器

  -带OTP锁的3x1024字节安全寄存器

◆单电源电压

  -全电压范围:1.65-2.0V

◆封装信息

  - SOP8 208mil

  - USON8 (3x2mm, 0.45mm thickness)

  - USON8 (3x4mm)

  - USON8 (4x4mm)

  - WSON8 (6x5mm)

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 豆芽 Lv8. 研究员 2023-05-11
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型号- GD32E505ZCT6,GD32E230F8V6,GD32F150,GD25LE128E,GD32F3 SERIES,GD25LD05C,GD32F205ZKT6,GD32E507RCT6,GD32F101VDT6,GSL6182GS1,GD32L233KBQ6,GD32F330G6U6,GD32F427VEH6,GD32F427RET6,GD32F427VKT6,GD32VF103,GD32F103C4T6,GD32F130G4U6,GD32F105RFT6,GDP2A8LM-WA,GD32F350K4U6,GDP2A8LM-WB,GD32F303VBT6,GD32F207RKT6,GD9FU8GXE2A,GD32F407IKH6,GD32F310C8T6,GD32E232K8Q7,GD32F150C4T6,GD32F403RGT6,GD25LX512ME,GD32F403VGH6,GD9FU4GXF2A,GD32VF103VBT6,GD5F4GM8RE,GD32F107RBT6,GD32F101TBU6,GD32F101C8T6,GD32F103ZET6,GD32E230F6P6,GD25LE16E,GD32F103RIT6,GD32F305ZET6,GD32F307RCT6,GD25Q16C,GD32F350C6T6,GD25Q16E,GD32F101VET6,GD32E103T8U6,GD32F470ZIT6,GD5F1GM7UE,GD9FU4GXF3A,GD32F101ZKT6,GD32VF103C6T6,GD25LT512ME,GD32F207ZET6,GD32C103TBU6,GD55LT02GE,GSL3692,GD25WD40E,GD32E508VET6,GD32F105RET6,GSL2681C,GD32EPRTVDT6,GD32E503CET6,GD25WD40C,GD32F303VCT6,GD32F303ZIT6,GD25LH32E,GD32E230C4T6,GDP1BFLM-IB,GDP1BFLM-IA,GD32L233C8T6,GD25F128F,GD25WQ80E,GD9FU1G8F2D,GD32F407VET6,GD32F205VCT6,GD32F103R8T6,GD9FU4GXF4B,GD32F407ZKT6,GD32F303CGT6,GD32F103ZDT6,GD32F107VGT6,GD25LB512ME,GD32F470,GSL2338,GD32F350,GD32F205VGT6,GD5F1GM7RE,GD32W5 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选型指南  -  兆易创新  - 2022/1/26 PDF 英文 下载

【经验】使用Nor Flash GD25Q127C读取Manufacturer ID与Device ID的方法

在嵌入式开发中经常要使用到Nor Flash,系统中要了解Flash的相关信息比如生产厂家、容量、类型等,就需要读取Nor Flash 的ID,本文主要是以兆易的GD25Q127C为例,介绍如何读取Manufacturer ID与Device ID,本文使用的主控MCU为Silicon Labs的EFM8BB21,开发环境为Simplicity Studio V4,其他MCU读取方法类似。

设计经验    发布时间 : 2019-10-07

【选型】Nor Flash选型时应该考虑哪些因素?

兆易创新2004年成立于美国硅谷,目前公司总部设在北京,专注于各类存储器和控制器的设计、研发和销售。GD是国内第一家存储器产品行业的上市企业,Falsh累计出货量超过100亿颗。我们在选择Nor Flash时要综合考虑各种因素,最终选出最合适的Nor Flash,本文将以兆易创新产品为例分享进行Nor Flash选型时经常要考虑的因素,方便大家快速选型。

器件选型    发布时间 : 2019-11-27

【应用】GD25Q128E NOR flash用于多串口通信系统的设计方案,时钟速率比华邦W25Q128BV高30%

GD25Q128E是国产厂商兆易创新的一款128Mbit的SPI NOR Flash芯片,本文介绍了GD25Q128E在多串口系统中的设计和使用经验。其中兆易的GD25Q128E在多个对比项目中明显比华邦的W25Q128BV更有优势,其中时钟速率更是比华邦的高出了近30%,而且封装形式更加多样,可以满足不同应用的需求。

应用方案    发布时间 : 2020-03-19

【经验】兆易创新Nor Flash存储器结构介绍,以GD25Q127C为例

兆易创新是国内第一家存储器产品行业的上市企业,Flash累计出货量超过100亿颗。 在嵌入式开发中经常要用到Nor Flash扩大系统的存储空间,了解Flash的内部存储结构是写驱动操作Flash的前提。本文主要以兆易创新的GD25Q127C为例,介绍兆易Nor Flash的存储器结构,来帮助刚接触到Nor Flash的用户。

设计经验    发布时间 : 2019-09-07

【成功案例】兆易创新SPI NOR FLASH芯片GD25Q32CSIG用于KTV点歌设备上存放启动引导程序

使用安卓系统的点歌设备,可以配置从NOR FLASH启动,价格便宜,只装载开机启动引导程序,固件放在服务器或者硬盘上,通过引导程序来加载系统。兆易创新的芯片GD25Q32CSIG,该芯片工作电压在2.7V~3.6V,工作环境温度-40℃~+85℃;支持30PF负载下快速读取数据的频率为120MHz,双输出模式下的数据传输速率可达240Mbits/s,四输出的数据传输速率可达480Mbits/s。

应用方案    发布时间 : 2020-03-10

【应用】国产SPI Nor Flash GD25Q256DYFGR用于工业相机,其容量高达256M

随着科技的发展,Flash在各个领域中起着越来越重要作用,Flash存储系统由于其优异的性能、高效的存储密度和出色的节能特性使得Flash存储有望替代机械磁盘成为企业级存储的核心。本文将介绍国产兆易创新高性价比方案的SPI Nor Flash GD25Q256DYFGR应用于工业相机。

应用方案    发布时间 : 2022-02-25

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