【经验】兆易创新Nor Flash存储器结构介绍,以GD25Q127C为例

2019-09-07 兆易创新
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兆易创新2004年成立于美国硅谷,目前公司总部设在北京,专注于各类存储器和控制器的设计、研发和销售。兆易创新也是国内第一家存储器产品行业的上市企业,Flash累计出货量超过100亿颗。

 

在嵌入式开发中经常要用到Nor Flash扩大系统的存储空间。了解Flash的内部存储结构是写驱动操作Flash的前提。本文主要以GD25Q127C为例,介绍兆易创新Nor Flash的存储器结构,帮助刚接触到Flash的用户快速了解块(Block)、扇区(Sector)、页(Page)的概念。

 

兆易的GD25Q127C,存储容量128M-bit(16M-byte,1byte=8bit),包含256/512个块(Block),每个块包含16/8个扇区(Page),每个扇区包含16个页(Page),每个页包含256个字节(Byte)。块分为两种,一种为64K-byte的,另一种个为32K-byte的,意思是如果按照64K-byte的的块来划分整个Flash,则包含256个块。如果按照32K-byte的块来划分整个Flash,则包含512个块。块的大小不是绝对的,关键看以何种标准划分,在操作Flash的指令中也能看到两种块擦除方式,Block Erase(32K)和Block Erase(64K)。存储结构见下图,此示意图是以64K-byte大小的块划分的整个Flash空间。

GD25Q127C的地址为24bit,每一个地址代表了一个字节。从图中我们开以清晰的看出每个块、扇区、页的起始地址和结束地址。我们可以通过一个24bit的地址在任一地址上写入一个字节。擦除的最小单位为一个扇区,也可以擦除一个块,或者直接擦除整个Flash。


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