【经验】兆易创新Nor Flash存储器结构介绍，以GD25Q127C为例

时间： 2019-09-07 来源：兆易创新

兆易创新2004年成立于美国硅谷，目前公司总部设在北京，专注于各类存储器和控制器的设计、研发和销售。兆易创新也是国内第一家存储器产品行业的上市企业，Flash累计出货量超过100亿颗。

在嵌入式开发中经常要用到Nor Flash扩大系统的存储空间。了解Flash的内部存储结构是写驱动操作Flash的前提。本文主要以GD25Q127C为例，介绍兆易创新Nor Flash的存储器结构，帮助刚接触到Flash的用户快速了解块(Block)、扇区(Sector)、页(Page)的概念。

兆易的GD25Q127C，存储容量128M-bit(16M-byte，1byte=8bit)，包含256/512个块(Block)，每个块包含16/8个扇区(Page)，每个扇区包含16个页(Page)，每个页包含256个字节(Byte)。块分为两种，一种为64K-byte的，另一种个为32K-byte的，意思是如果按照64K-byte的的块来划分整个Flash，则包含256个块。如果按照32K-byte的块来划分整个Flash，则包含512个块。块的大小不是绝对的，关键看以何种标准划分，在操作Flash的指令中也能看到两种块擦除方式，Block Erase(32K)和Block Erase(64K)。存储结构见下图，此示意图是以64K-byte大小的块划分的整个Flash空间。

GD25Q127C的地址为24bit，每一个地址代表了一个字节。从图中我们开以清晰的看出每个块、扇区、页的起始地址和结束地址。我们可以通过一个24bit的地址在任一地址上写入一个字节。擦除的最小单位为一个扇区，也可以擦除一个块，或者直接擦除整个Flash。

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