【产品】漏-源电压150V的N沟道增强型MOS功率管RM5N150S8，具备完全表征雪崩电压和电流
丽正国际推出的N沟道增强型MOS功率管RM5N150S8采用先进的沟槽技术与设计，导通电阻优异，栅电荷低，应用领域非常广泛。
一般特征
VDS=150V，ID=4.6A
RDS(ON)<75mΩ@VGS=10V（典型值：63mΩ）
RDS(ON)<88mΩ@VGS=4.5V（典型值：70mΩ）
特殊工艺技术保证了高ESD能力
超低导通电阻的高密度单元设计
完全表征雪崩电压和电流
无卤
应用
DC/DC原边转换器
电信/服务器
同步整流
包装标识与订购信息
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气性能（TA=25℃，除非另有说明）
SOP-8封装信息
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型号- RM5N150S8
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产品型号
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品类
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封装
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Mounting Style
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Reverse Voltage Vr(V)
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Forward Current Io(A)
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Max Surge Current(A/mA)
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Forward Voltage Vf(V)
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Reverse Current Ir(uA)
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B5819W-T
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肖特基二极管
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SMD/SMT
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