【应用】650V/10A SiC二极管G5S06510QT,200W PD多口快充电源优选
PD快充电源为手机、笔记本、平板等移动电子设备提供快速充电,尤其是多口快充电源可同时为多款电子设备充电,因此其高效性就尤为重要。泰科天润紧凑型表贴封装SiC二极管G5S06510QT,凭借其小体积、高散热等优异性能,是200W PD多口快充电源PFC电路的优秀选择。
如图1所示,是PD多口快充电源产品示意图,其中产品内的PFC电路如示意图右边电路所示,一般采用功率电感、MOSFET配合二极管的拓扑结构,目前的方案多采用快恢复二极管,随着市场对PD快充的小体积和高效化的要求,SiC二极管变逐渐成为了PD快充市场的主流器件。
图1 PD多口快充电源产品示意图
目前PD多口快充电源以功率200W为主流,泰科天润针对这一应用推出了参数为10A/650V的SiC二极管产品G5S06510QT,其应用优势如下:
1、采用DFN8*8贴片封装,无引脚设计,如图2所示,与传统的TO-252/263贴片封装相比具有较低的的寄生电感,高效节能;
2、产品厚度仅1mm,体积小,方面PD多口快充的小型化布局;
3、优异的散热性能,DFN8*8封装面积和TO-252封装面积分别64mm²和66mm²,但DFN8*8的散热面积是TO-252的1.5倍,其散热性能大大超过了TO-252封装;
4、国产品牌,价格交期有优势,设计一步到位;
图2 G5S06510QT封装结构和内部拓扑示意图
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泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices
型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
G5S06510QT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G5S06510QT型号的碳化硅肖特基二极管,其具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。产品具备单极性、低开关损耗等优点,广泛应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G5S06510QT
【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S12015A,G5S12015D,G4S6508Z,G3S12003A,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S12003H,G5S12020PM,G3S06520L,G5S06510PT,G3S06520H,G5S12002R,G3S06550PM,G3S12002R,G3S06520P,G5S12015PM,G4S06508JT,G5S6504Z,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06520B,G3S12002D,G5S06508PT,G3S06520A,G5S12030PP,G3S12002H,G5S12016BM,G3S06540PP,G3S12010BM,G4S06516BT,G5S12005A,G4S06530BT,G5S12005C,G4S06503AT,G5S12005D,G5S06508QT,G5S12005H,G4S06510HT,G3S06530L,G6S12040BT,G4S06515AT,G5S12020BM,G3S06530P,G3S06502A,G1S33005P,G4S06510AT,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,G3S06502D,G3S06502C,G5S12010PM,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S06502CT,GAS06520A,G4S06515LT,G3S12010H,GAS06520H,G4H06510HT,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G5S12010M,G3S17020B,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,GAS06520L,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S12002C,G5S12002A,G4S06506RT,G3S12010A,G5S12002D,G3S12010B,G3S12010C,G4S12010LM,G3S12010D,G5S12002H,G3S06512B,G5S12010BM,G4S06510DT,G5S06502AT,G3S06510M,G3S06510K,G3S06510L,G3S06510J,G3S12020L,G4S12040BM,G3S06510H,G5S12030PPM,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06510R,G3S06510P,G3S12020U,G3S06506D,G53YT,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G5S12050PM,G3S06506J,G3S12020A,G5S12020A,G3S06506H,G3S12020B,G1S33001P,G5S12020D,G3S06505R,G3S06520PM,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G3S06505A,G5S06504CT,G1S3300.6P,G5S06510HT,G4S06508QT,G3S06505H,G3S06504R,G3S06560B,GAS06540B,G5S12040BM,G52YT,G4S12010PM,G3S06504C,G3S06504A,G3S06516B,G5S06508HT,G1S33003P,G5S06520BT,G3S06504J,G5S12010C,G5S12010D,G3S06504H,G5S12010A,G4S06508RT,G3S06504D,G3S06503R,G3S065100P,G4S06508AT,G5S06506CT,G51XT,G5S06505AT,G3S06503A,G1S33002P,G6S12020PT,G3S12040PP,G5S12008PM,G4H06510AT,G3S06503H,G5S06504QT,G3S06503C,G3S06503D,G5S12020H,G4S06510PT,G5S12040PPM,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06502R,G5S12008D,G4S06506HT,G5S12008C,G5S12008H,G4S06515CT,G5S06510CT,G5S12008M,G3S06530A,G5S12008P,G3S12040B,G5S12040B,G4S06540PT,G5S12030BM,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,G4S06515DT,G5S06510DT,G4S06503CT,G5S06520AT,G4S06510JT,G3S17005C,G3S17005A,G3S06508R,G4S12020BM,G5S12050P,G3S12050P,G5S06510AT,G3S06508D,G3S06508C,G3S06508A,G3S06540B,G5S12030B,G3S06508J,G3S06508H,G5S06510QT,G3S12005P,G3S12005R,G5S06508CT,G4S12020PM,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G5S12040PP,G5S06506QT,G3S06506U,G3S06506R,G3S06530PM,G3S06550P,G5S06508DT
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
G3C06560B混合SiC分立器件
描述- 本资料介绍了G3C06560B混合碳化硅离散器件的特性。该器件采用Si IGBT与SiC二极管结合技术,具有优异的导通和开关损耗、良好的稳定性和均匀性,适用于感应转换器和不间断电源等领域。
型号- G3C06560B
【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求
泰科天润作为一家国产厂牌,针对不同应用需求专门匹配了不同的型号,以10A/650V的参数为例,G5S06510AT的VF典型值只有1.28V,较适合在高频输出整流电路的应用; G4S06510AT的价格优势明显,主打性价比系列,可以针对成本要求较高的应用选型;G3S06510A的IFSM值比较高且价格比较适中,适合Boost/PFC电路的应用。
【产品】DFN8*8紧凑表贴封装的650V SiC二极管,高度仅1mm,帮助实现更紧凑、高能效设计
为了帮助工程师设计密度更高,效率更高的功率转换级,泰科天润(GPT)推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号,涵盖650V 4A/6A/8A/10A/15A的产品可供选择。产品包括G5S06504QT,G5S06506QT,G5S06508QT,G5S06510QT,G4S06515QT。
砥砺前行!一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验;启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设;助力消费类快充、PC电源性能提升;赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。
【视频】2023年1月12日碳化硅&氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
【应用】泰科天润SiC二极管G3S06505C助力华硕氮化镓快充PFC电路设计,正温度系数易于并联使用
G3S06505C是一颗耐压650V,5A电流的碳化硅二极管,采用TO252封装。其具有正温度系数,支持并联使用,且并联器件中没有热崩溃现象;工作温度-55℃-175℃,开关特性不受温度影响,可以降低系统对散热片的依赖;无反向恢复电流和正向恢复电压,用在PFC升压整流中可以极大降低开关损耗,大大提高整体效率。
【经验】如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
SIC二极管已经成为SI器件高压快恢复二极管的最佳替代产品。然而针对SIC二极管的可靠性参数VBR(反向击穿电压)评估,目前没有详细的标准可以参考评估,本文将结合泰科天润的SIC二极管产品G5S12030BM,讨论如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
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