【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别

时间： 2019-02-03 来源：世强

技术问答

目前SILICON LABS推出的具有双路隔离驱动芯片 SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。

图1为SI8233和SI8235驱动芯片的引脚定义图，从该图可以直观的看到两颗芯片都是双输出驱动的；

图1、SI8233和SI8235引叫定义图

在设计上先探讨其共同点：

1. 两颗芯片都可以满足半桥或者全桥类型拓扑的MOS管驱动，并且实现原副边隔离电压都是5KV;

2. 芯片的原边侧都具有Disable引脚控制功能，当该信号为高电平时，输出信号都必须为低，输出无法驱动MOS管开通；只有该引脚信号为低电平时，信号才可以正常的从芯片内部通过；

3. 驱动芯片必须提到原副边的供电电压，两者原边电压都是满足4.5V-5.5V;副边供电电压满足6.5V-24V,这个是兼容的；另外在电源的设计，副边的高压侧都可以通过自举的方式供电；

4. 芯片的最大副边工作绝缘电压都是891Vpeak，另外驱动电流，两者峰值电流都可以到4A，满足驱动设计的要求；

两者设计的不同点主要如下：

1. SI8233具有DT功能，就是可以通过外置电阻R可以来设置输入信号VIA和VIB的死区时间，计算公式Dt=10Rt(ns)，这个可以额外增加VIA和VIB的死区时间；SI8235则没有死区时间的设计，必须由软件里面写好VIA和VIB的死区时间；

2. 在防止驱动侧MOS管上下桥直通的风险，SI8233可以通过驱动信号的死区时间之外，芯片内部本身具有将输入侧同时为高的信号直接拉低封锁，输出侧无法驱动MOS管；但是SI8235则不具有SI8233该功能，输入是何种信号输出就响应该型号，只能通过VIA和VIB死区时间的控制来避免上下路可能出现的直通风险；

根据以上的简单介绍，设计者在选择SI8233或SI8235做设计时，可以根据自己的实际设计需求来选择双路隔离驱动芯片。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由明提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

设计经验发布时间 : 2019-05-06

【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护

在SiC MOS管出现短路或直通故障时，通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上，此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压，SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Silicon Labs推出的Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能，可以实时监测SiC MOS管的Vds电压，一旦Vds电压进入退饱和状态，会立即软关断SiC MOS管，实现保护功能。

设计经验发布时间 : 2019-02-26

【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证。

设计经验发布时间 : 2019-08-01

数明半导体（Sillumin）隔离器件和门极驱动器选型指南

目录- 公司简介隔离器件、门极驱动选型表隔离器件介绍单通道隔离驱动器双通道隔离驱动器带保护功能隔离驱动器数字隔离器 HVIC门极驱动器应用领域

型号- SLMI77XX系列,SLM27511,SLM2003E,SLM27512,SLM2003S,SLMI8273,SLM2104S,SLMI8232,SLMI8233,SLMI8230,SLMI8274,SLM2108S,SLMI8231,SLMI8275,SLMI7740,SLMI5320,SLMI7742,SLMI8234,SLMI7741,SLMI8235,SLM345,SLMI77XX,SLM346,SLMI776X,SLM2110,SLMI330,SLM2752X,SLM7888,SLMI772X,SLMI334,SLMI333,SLMI332,SLMI331,SLMI137,SLMI335,SLM27524,SLM27525,SLMI772X系列,SLM2181,SLM27523,SLMI776X系列,SLM2101S,SLM341,SLM2004S,SLM343,SLM340,SLMI827X系列,SLM21814,SLMI823X系列,SLMI33X系列,SLMI5952,SLM27517,SLM21XX,SLM2186,SLM2184S,SLM27519,SLM2304S,SLM27211,SLM20XX系列,SLM2005S,SLMI23514,SLM2106S,SLMI7760,SLMI7762,SLMI7761,SLMI7720,SLMI827X,SLMI7763,SLMI7721,SLMI823X,SLM34X,SLMI774X,SLM2005E,SLMI7769,SLMI350,SLM21XX系列,SLM2015,SLM2136,SLM2106B,SLM21867,SLM2014,SLMI33X,SLMI774X系列,SLM34X系列,SLM21364,SLM2103S,SLM2009,SLMI5852,SLM2001S,SLM20XX,SLM2751X

选型指南 - 数明半导体 - V1.0 - 2022.01 PDF 中文下载

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V1.1 PDF 中文下载

【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通

在驱动碳化硅MOSFET时引入米勒钳位功能非常必要，采用基本半导体自研的BTD25350MM驱动芯片能够高效可靠地抑制误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。大家在使用碳化硅MOSFET进行方案设计时，为规避误导通风险，建议选择BTD25350驱动芯片系列产品。

产品发布时间 : 2024-07-08

【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。

器件选型发布时间 : 2018-01-31

【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350，能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通

基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。

产品发布时间 : 2024-06-26

数明半导体（Sillumin）直流充电桩芯片选型指南

描述- 电动汽车直流充电桩俗称"快充"，它输入端连接交流电网，输出端提供足够的功率，输出电压和电流调整范围大，可以适配不同品牌的电动汽车动力电池，实现充电要求。直流快充桩一般采用模块化堆叠设计，单模块功率范围从15kw至40kw，单桩输出功率可达350kw。

型号- SILM5350SABCA-DG,SILM5350RABCA-DG,SILM8243BBCG-DG,5ILM5350MABCA-DG,SILM824X系列,SILM8244BBCG-DG,SILM82XX,SLMI8234HDDCP-DG,SLMI8234HBDCG-DG,SILM8244ABCP-DG,SLMI8235HBDCP-DG,SILM5150SDC-DG,SILM5350SDBCA-DG,SILM5350RDBCA-DG,SILM8244GBCP-DG,SILM8243GBCP-DG,SILM5350PABCA-DG,SILM5350HABCA-DG,SILM8243DBCP-DG,SILM8244DBCP-DG,SLMI8230DDCG-DG,SILM27624HGB-DG,SILM5341TCR-DG,SLMI8232DDCG-DG,SILM52XX,SILM5350FABCA-DG,SILM5350RGBCA-DG,SILM5350PGBCA-DG,SILM5721CM-DG,SILM105XS,SILM5350HDBCA-DG,SILM5350PDBCA-DG,SLM27523GB-DG,SILM5350FDBCA-DG,SLMI8231BDCG-DG,SILM5722FCA-DG,SILM5211CM-DG,SILM1044SEN-DG,SLMI8233BDCG-DG,SLMI8235BDCG-DG,SLMI823X系列,SLM2762X系列,SILM1044SCA-DG,SILM5350HGBCA-DG,SILM8245BBCG-DG,SILM5741FCG-DG,SILM27624HCA-DG,SILM8244GBCG-DG,SILM824X,SLMI8233HBDCG-DG,SILM5721FCA-DG,SILM105XS系列,SILM5740CG-DG,SLM27523CA-DG,SLMI8233HDDCP-DG,SILM5350系列,SLM27524GB-DG,SILM10575CA-DG,SILM5742FCG-DG,SILM8245BBCP-DG,SILM8243BBCL-DG,SILM8244BBCL-DG,SILM27624,SILM5150,SLMI8235DDCG-DG,SILM5350MBDCM-DG,SILM5346TCR-DG,SILM1050SCA-DG,SILM5350HBDCM-DG,SILM5720CM-DG,SILM5350SGBCA-DG,SLMI8231DDCG-DG,SILM1051SCA-DG,SILM5350PBBCA-DG,SLM346CK-DG,SLM343CK-DG,SILM5350PGDCM-DG,SLM340CK-DG,SILM104XS,SILM5350RDDCM-DG,SILM8243ABCG-DG,SILM5350MDBCA-DG,SLMI8230BDCG-DG,SILM5722CA-DG,SILM57XX,SLMI8234BDCG-DG,SILM8245DBCG-DG,SILM5150SCG-DG,SILM5350FDDCM-DG,SILM5350HBBCA-DG,SLM34X,SILM534X系列,SILM27624MGB-DG,SILM5350PADCM-DG,SLMI8235HDDCG-DG,SILM5350HADCM-DG,SILM5345TCR-DG,SILM8243GBCG-DG,SILM5340TCR-DG,SILM1042SCA-DG,SILM5350HGDCM-DG,SILM5350FGDCM-DG,SILM8245ABCL-DG,SILM1050SEN-DG,SILM27624LCA-DG,SILM10575EN-DG,SILM1040SEN-DG,SILM8243ABCL-DG,SILM8244ABCL-DG,SLM27525CA-DG,SILM5350MGDCM-DG,SILM5742CG-DG,SILM5200CM-DG,SILM8243DBCL-DG,SILM8244DBCL-DG,SILM5722FCM-DG,SILM8245DBCL-DG,SILM5740FCG-DG,SILM8244GBCL-DG,SILM8245GBCL-DG,SILM5720FCA-DG,SILM5350RBDCM-DG,SILM8244ABCG-DG,SILM27624LGB-DG,SILM5350MDDCM-DG,SILM8243GBCL-DG,SILM52XX系列,SLM27524,SILM5741CG-DG,SILM5350SGDCM-DG,SILM5350PBDCM-DG,SILM10515EN-DG,SILM5150S,SILM5343TCR-DG,SILM534X,SILM5350MADCM-DG,SILM5350SDDCM-DG,SLMI8234HDDCG-DG,SLM341CK-DG,SLMI8234HBDCP-DG,SILM8244DBCG-DG,SILM10405CA-DG,SILM5721CA-DG,SILM5350MBBCA-DG,SILM5150SCM-DG,SILM5350SADCM-DG,SILM53505BBCA-DG,SILM8245GBCG-DG,SILM572X系列,SILM5350FGBCA-DG,SLM345CK-DG,SILM5350,SLMI8235HBDCG-DG,SLM27525GB-DG,SILM8244BBCP-DG,SILM8243BBCP-DG,SILM5720CA-DG,SILM5720FCM-DG,SLMI823X,SILM8245BBCL-DG,SLM2762X,SILM5350FBDCM-DG,SILM104XS系列,SLMI8235HDDCP-DG,SLMI8233DDCG-DG,SLMI8234DDCG-DG,SILM1042SEN-DG,SILM8245ABCG-DG,SILM5350FADCM-DG,SILM27624MCA-DG,SILM5350RBBCA-DG,SILM5350SBDCM-DG,SILM5350RGDCM-DG,SLM34X系列,SILM572X,SILM5350HDDCM-DG,SILM5350PDDCM-DG,SLMI8232BDCG-DG,SLMI8233HDDCG-DG,SILM5722CM-DG,SILM5721FCM-DG,SLMI8233HBDCP-DG,SILM8243DBCG-DG,SILM5350MGBCA-DG,SILM5350FBBCA-DG,SLM27524CA-DG,SILM5202CM-DG,SILM5350RADCM-DG,SLM8243ABCP-DG

选型指南 - 数明半导体 - 2023/7/21 PDF 中文下载

【IC】数明半导体SiLM5350隔离驱动器，SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用

为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性，其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器，具有强大的驱动能力，能够高效、稳定地驱动SiC（碳化硅）等新型半导体器件，确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。

产品发布时间 : 2024-04-09

【IC】数明半导体新推带米勒钳位功能的双通道隔离驱动器SiLM8260，具备10A的拉电流和灌电流能力

数明半导体最新推出的SiLM8260是一款集成了米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片，它精准地满足了上述严苛条件。SiLM8260具备10A的拉电流和灌电流能力，能够直接驱动SiC、IGBT等大功率器件，确保高效且稳定的运行。其米勒钳位功能尤为出色，能够有效抑制门极驱动因对管开关而引起的电压尖峰，从而避免上、下管直通问题，进一步增强了系统的稳定性和可靠性。

产品发布时间 : 2024-03-22

【应用】用于充电桩模块的低成本驱动方案：变压器+不带隔离的驱动芯片IXDD604

IXYS的驱动芯片IXDD604配合前级变压器做信号隔离的充电桩模块的MOS管驱动方案，可以为驱动电路的设计带来成本优势。相比带隔离的驱动芯片需要在原副边两侧都需要电源供电，用IXDD604做设计只需要一路电源供电，设计者省掉一路供电电源，所以对于设计成本有优势；其次在设计体积上，双路驱动芯片通常是宽体，而IXDD604属于8pin SOIC-8封装，设计体积上IXDD604有优势。

应用方案发布时间 : 2020-03-29