【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别
目前SILICON LABS推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。
图1为SI8233和SI8235驱动芯片的引脚定义图，从该图可以直观的看到两颗芯片都是双输出驱动的；
图1、SI8233和SI8235引叫定义图
在设计上先探讨其共同点：
1. 两颗芯片都可以满足半桥或者全桥类型拓扑的MOS管驱动，并且实现原副边隔离电压都是5KV;
2. 芯片的原边侧都具有Disable引脚控制功能，当该信号为高电平时，输出信号都必须为低，输出无法驱动MOS管开通；只有该引脚信号为低电平时，信号才可以正常的从芯片内部通过；
3. 驱动芯片必须提到原副边的供电电压，两者原边电压都是满足4.5V-5.5V;副边供电电压满足6.5V-24V,这个是兼容的；另外在电源的设计，副边的高压侧都可以通过自举的方式供电；
4. 芯片的最大副边工作绝缘电压都是891Vpeak，另外驱动电流，两者峰值电流都可以到4A，满足驱动设计的要求；
两者设计的不同点主要如下：
1. SI8233具有DT功能，就是可以通过外置电阻R可以来设置输入信号VIA和VIB的死区时间，计算公式Dt=10Rt(ns)，这个可以额外增加VIA和VIB的死区时间；SI8235则没有死区时间的设计，必须由软件里面写好VIA和VIB的死区时间；
2. 在防止驱动侧MOS管上下桥直通的风险，SI8233可以通过驱动信号的死区时间之外，芯片内部本身具有将输入侧同时为高的信号直接拉低封锁，输出侧无法驱动MOS管；但是SI8235则不具有SI8233该功能，输入是何种信号输出就响应该型号，只能通过VIA和VIB死区时间的控制来避免上下路可能出现的直通风险；
根据以上的简单介绍，设计者在选择SI8233或SI8235做设计时，可以根据自己的实际设计需求来选择双路隔离驱动芯片。
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