【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性

时间： 2023-06-11 来源：群芯微

技术问答

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

器件特征

20V/3A
R_DS(ON)=54mΩ@V_GS=4.5V
R_DS(ON)=68mΩ@V_GS=2.5V
快速开关特性
绿色环保器件可选
支持SOT23外壳封装

应用领域

电池保护领域
负载开关
不间断电源

绝对最大额定值（T_A=25℃ 除非另有说明）

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