【应用】瞻芯电子SIC场效应管IV1Q06040T4用于充电桩，导通电阻40mΩ，最大耗散功率385W可有效降低发热

时间： 2022-11-19 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

随着新能源汽车发展，人们对充电桩的需求也更加迫切，通过充电方式及功率的不同，充电桩被分为了直流快充和交流慢充两大类。MOS和IGBT作为其主功率器件，很大程度上决定着充电桩的性能好坏。

有客户在设计一款直流充电桩时，DCDC采用了BUCK-BOOST的拓扑结构来做升降压，需要用到650V，40mΩ的MOS管，本文给客户推荐了一款瞻芯电子的SIC场效应管 IV1Q06040T4，采用TO247-3封装，具备导通电阻小、寄生电容小、工作节温高等特点，非常适用于电动汽车充电装置应用场合。

图1：瞻芯电子IV1Q06040T4在充电桩主功率模块上的应用

IV1Q06040T4在充电桩中的优势：

1、40mΩ导通电阻，阻抗小，能够减小产品损耗；

2、最大漏源电流可达72A，适合大电流的应用场合；

3、最大耗散功率385W，热阻0.431℃/W，可有效降低产品发热；

综上所述，瞻芯电子IV1Q06040T4非常适合用于充电桩应用。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由亓子提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【应用】国产SiC MOS ASC100N1700MT4用于直流充电桩，满足母线电压1000V需求

随着如今电网升级，不少充电桩的母线电压都由800V提升到1000V，本文将为此情况介绍一款国产品牌爱仕特的N沟道SiC MOS：ASC100N1700MT4，提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。

2023-03-08 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

2022-03-05 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%

高频逆变电焊机可以针对车身不同部位、不同材料钣金进行专业的修复。但由于受到功率器件等因素的限制，机器工作频率低仅为20KHz，效率不高为73%，同时频率低导致机器内部降压变压器体积不能缩小，致使机器整体体积偏大移动不方便，这些都是此类产品的痛点。本文介绍Littelfuse的SIC MOS LSIC1MO120E0080在高频逆变电焊机的应用，解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题

2018-11-30 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

2024-08-06 - 产品代理服务技术支持采购服务

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。另外，新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

2024-07-06 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON 产品充电桩行业分享

HI-SEMICON - SIC 二极管,COOL MOS,MOS管,SIC MOS管,冷MOS,SCP65R090CF,SFS3401,SC3D40065D,SC3D40120D,SFS3400,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SFS2N7002,SFS3407,SC3D10120H,SCW65R075CF,S3M040120K3,SCW65R050CF,SFD3009T,SGA104R5T,SC3D40065A,SFA10015T,SFS2301,SC3D30065I,SFS3415,SCW65R090CF,SC3D30065G,SFD50N06,SC3D30065H,SC3D30120H,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SFD6008T,SCW65R041CF,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SC3D20065A,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D,工业电子,家电,通讯,消费电子,充电桩,轨道交通,汽车电子,智能装备,光伏新能源

2023/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

TOLL封装 SiC MOSFET 新产品发布

扬杰科技 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,YJD212080TLG1,YJD206520TLGH,YJD212060TLGH,DC-DC,PDU,直流-直流,充电桩,户外电源,光伏逆变器,动力传动装置

2024/6/5 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【视频】SMC 650V、1200V SIC二极管产品，均已过车规认证，具有更低的反向电流、更高的IFSM

SMC - SIC 二极管,SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,快恢复二极管,肖特基二极管,S4D05120E,S4D02120A,SDURS30Q60W,1N5819,SDUR60Q60W,S4D02120E,S4D05120G,开关电源,电机驱动,充电桩,电动工具,快充,矿机,不间断电源,电动汽车,轨道交通,UPS,LED电源,光伏逆变器,光伏储能

商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

2024-01-09 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

新品抢先看 | 瑶芯邀您共赴2024慕尼黑上海电子展，感受新能源车、光储、充电桩及电源的功率器件解决方案

2024慕尼黑上海电子展（electronica China）将于2024年7月8日-10日在上海新国际博览中心盛大举办。作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯将携最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案隆重亮相本次展会，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

2024-06-20 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

瑶芯携最新产品和解决方案参加2024年功率器件新技术线上研讨会

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯将携650V-2300V SiC MOS，品类齐全，适用于光伏、储能、充电桩以及汽车OBC隆重亮相本次研讨会。

2024-04-13 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

SPS75MA12E4S 1200V 75MΩSiC MOSFE

该资料详细介绍了SPS75MA12E4S型碳化硅（SiC）MOSFET的特性，包括其高阻断电压、低导通电阻、快速开关特性以及低反向恢复特性。资料还提供了该产品的电气特性、最大额定值、热阻等参数，并列举了其在光伏逆变器、充电桩、储能系统、工业电源、工业电机等领域的应用。

索力德普 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SPS75MA12E4S,CHARGING PILES,工业电源,储能系统,光伏变流器,PV INVERTERS,充电桩,INDUSTRIAL POWER SUPPLY,工业电动机,ENERGY STORAGE SYSTEMS,INDUSTRIAL MOTORS

7/13/2023 - 数据手册 - V-1.0 代理服务技术支持采购服务

【选型】充电桩DC-DC转换电路拓扑结构该如何选择？

在充电桩应用中，DC-DC转换电路拓扑结构到底应该采用三电平LLC串联谐振全桥？还是采用二电平LLC串联谐振全桥？本文带你探秘。用于DC-DC转换的功率开关器件主要有IGBT，Cool MOS和SIC MOSFET等，它们各有优缺点。Vincotech公司目前推出了基于INFINEON第五代高速H5的IGBT功率模块，其比基于INFINEON第三代高速H3的IGBT功率模块，性能有明显的提高。

2016-05-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务