【产品】100V/130A N沟道功率MOSFET RM130N100T2，导通电阻可低至5.5mΩ
丽正国际推出的RM130N100T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过特殊优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于具有极低的RDS（ON）和Qg，传导和开关功率损耗都被最小化，因此该器件是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM130N100T2可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为130A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W。RM130N100T2采用TO-220-3L封装，其产品图如图1所示，
图1 RM130N100T2产品图
RM130N100T2产品特性
•VDS =100V,ID =130A
RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V
•优秀的栅极电荷x RDS（on）产品
•低导通电阻RDS（on）
•无铅电镀
•经过100％UIS测试
RM130N100T2应用领域
•DC / DC变换器
•高频开关和同步整流
RM130N100T2订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由cucumber翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100HD，导通电阻极小
丽正国际推出的RM150N100HD是一款N沟道MOSFET，该器件使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，在TC=25°C时，RM150N100HD可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制），是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】采用Super Trench技术的60V/180A N沟道功率MOSFET RM180N60T2
丽正国际推出的一款N沟道功率MOSFET RM180N60T2，采用TO-220-3L封装，经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于极低RDS（ON）和Qg的组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM180N60T2可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V。
NCEP01ND35AG NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP01ND35AG这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的高频开关性能，具有低导通和切换功率损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP01ND35AG
NCEP0120Q NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP0120Q型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP0120Q
HMS45N04Q N沟道超沟槽功率MOSFET
描述- HMS45N04Q是一款采用Super Trench技术的N沟道超级沟槽功率MOSFET，专为高频开关和同步整流设计。该器件具有低导通和开关损耗，适用于DC/DC转换器。
型号- HMS45N04Q
NCEP026N10T NCE N沟道超级沟道II功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP026N10T型号的N沟道超级 trench II功率MOSFET。这种器件采用独特的Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP026N10T
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
HMS65N03Q N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- HMS65N03Q是一款采用Super Trench技术的N沟道超级沟槽功率MOSFET，专为高频开关和同步整流设计。该器件具有低导通和开关损耗，适用于DC/DC转换器。
型号- HMS65N03Q
NCEP4090GU N沟道超沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP4090GU这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有低导通和切换损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP4090GU
RM11N650LD N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了RM11N650LD型号的N-Channel Power MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、开关特性、二极管特性等，并提供了绝对最大额定值、电气特性曲线和封装信息。
型号- RM11N650LD
NCEP01T10G NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP01T10G这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的高频开关性能，具有低导通电阻和栅极电荷，适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP01T10G
【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流
NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
RM28N60ES8 N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了RM28N60ES8型号的N通道功率MOSFET的特性。它涵盖了其电气参数、热特性、开关参数和应用领域，并提供了封装尺寸信息和订购信息。
型号- RM28N60ES8
RM200N85T2 RM200N85HD N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了两款N-通道功率MOSFET器件——RM200N85T2和RM200N85HD。这些器件采用Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于DC/DC转换器和高频开关及同步整流应用。
型号- RM200N85T2,RM200N85HD
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论