【产品】100V/130A N沟道功率MOSFET RM130N100T2，导通电阻可低至5.5mΩ

时间： 2019-10-23 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的RM130N100T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过特殊优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于具有极低的R_DS（ON）和Q_g，传导和开关功率损耗都被最小化，因此该器件是高频开关和同步整流的理想选择。在T_C=25°C时，RM130N100T2可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为130A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W。RM130N100T2采用TO-220-3L封装，其产品图如图1所示，

图1 RM130N100T2产品图

RM130N100T2产品特性

•VDS =100V,ID =130A

RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V

•优秀的栅极电荷x R_DS（on）产品

•低导通电阻R_DS（on）

•无铅电镀

•经过100％UIS测试

RM130N100T2应用领域

•DC / DC变换器

•高频开关和同步整流

RM130N100T2订购信息

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叫我铁岭哥 Lv5. 技术专家 2019-10-24

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