【经验】几招解决瑞萨MCU RH850 EEPROM库初始化时间长的问题

时间： 2022-05-29 来源：世强

RENESAS（瑞萨电子）汽车大集成MCU RH850系列，集车身，底盘，发动机功能资源为一体，采用40nm工艺，符合ISO26262 ASIL-B~ASIL D的功能安全标准，多路车载通讯CAN，以太网，flexray等资源，十分适用于车身BCM控制应用。

随着车载通讯的数量增加，车载诊断协议的完善，MCU需要存储的EEPROM数据逐渐增加，如何在保证EEPROM区擦写寿命基础上，容纳更多的EEPROM数据成为开发需要考虑的难点之一。本文主要介绍RH850系列MCU的EEPROM特点，以及解决由于需要存储的EEPROM数据量增多，导致EEPROM初始化时间长的问题。

瑞萨RH850提供两种存储掉电保存数据的模拟库，分别是FDL库与EEL库，如下图1。两者均可用来存储EEPROM数据。两者的特点与优劣势如下：

1、FDL库

优点：操作简单，接口实现方便，接口类似于直接对寄存器操作，修改的数据可直接从地址查看到数据的改动。初始化与写数据时，不需要耗费MCU较多的处理资源。

缺点：频繁擦写操作时，寿命有限，修改时需要擦除一整个block，考虑数据完整性问题，还需要数据备份

2、EEL库

优点：均衡管理EEPROM存储区，滚动更新数据，提高EEPROM寿命，无需要另外的数据备份

缺点：初始化时需要建立ID对应的链接表，耗时长。无法确切的查看存储的数据所在的地址，接口函数相对复杂。

图1 FDL库与EEL库API结构图

当我们在开发BCM产品时，面对较多的EEPROM数据，此时若使用EEL库，由于EEL库的数据存放地址是滚动的，因此在初始化时，需要将数据绑定的ID表所对应的地址进行遍历。需要在整个EEPROM空间中，找出我们所定义的ID所在的位置，则极可能出现初始化时间过长问题时，结合以上两种库的特点，我们可以有以下几种解决办法：

我们可以针对性将EEPROM数据分成两类。对于不怎么需要更新的，不考虑使用寿命的数据，我们可以使用FDL库来存储数据;对于需要频繁擦写的数据，我们可以使用EEL库来实现擦写，两种库共存来提升EEPROM使用效率。
如果确实存在较多的EEPROM数据需要使用EEL库情况下，我们应尽可能减少EEL库的ID的数量，因为ID的数量决定了EEL库初始化的时间。但同时也需要注意单个ID所携带的数据不要太多，最好每个ID的数据长度接近。
我们还可以通过提升MCU所运行的频率，来提高EEL库初始化时间。
在MCU空闲时执行EEL_handle指令，来平分初始化的时间。如下图将循环执行EEL_handle指令，改写成if语句，来避开较长的循环时间。
可以通过增加prepare块的数量，来减少EEL库的遍历时间，通过适当增加eel_descript.h中EEL_CONFIG_VBLK_CNT_REFRESH_THRESHOLD的值，来调整EEL结构，减少EEL初始化时间。

综上所述，在出现EEPROM数据增加的情况下，我们最好的办法是通过合理利用瑞萨的两个EEPROM库（FDL与EEL库），实现EEPROM数据区最大化利用，同时解决可能出现的EEL库初始化时间长的问题，其次也可以通过优化EEL库结构等方法来解决问题。

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