ROHM新推600V耐压超级结MOSFET、PMDE封装二极管等多款产品,满足各领域应用需求
近期ROHM推出的新品可谓各有特点,涉及的应用领域广泛,本文总结出了几款具有代表性的产品供大家参考,工程师朋友们可以根据自己的需要进行选择哦!
2.5mm×1.3mm小型“PMDE封装”二极管
PMDE封装产品支持从家电到车载和工业设备领域的广泛应用,具有小型封装实现与传统封装同等的性能和确保比传统封装更高的可靠性的特点,同时产品阵容中包括5种二极管,可满足不同应用需求。
本次产品阵容中新增14款机型,包括RBxx8系列肖特基势垒二极管(简称“SBD”)新增了10款、RFN系列快恢复二极管(简称“FRD”)新增了2款、VS系列瞬态电压抑制二极管(简称“TVS”)新增了2款机型。
“R60xxVNx系列”新增了7款机型,新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路,以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。
新产品具有实现业界超快的反向恢复时间,同时实现业界超低的导通电阻和业界超快的反向恢复时间,开关损耗更低的特点。基于这两大特点,与同等的通用产品相比,新系列可大大提高应用产品的效率。
符合功能安全标准“ISO 26262”的用于下一代车载摄像头模块的电源管理IC
ROHM面向在ADAS(高级驾驶辅助系统)等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块(以下简称“车载摄像头”),开发出符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C(BD868C0MUF-C、BD868D0MUF-C)。另外,还会陆续推出新产品的衍生机型BD868A0MUF-C、BD868B0MUF-C和BD868C1MUF-C。
新产品能够满足严格的功能安全要求,可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈。在同类PMIC中,实现了业界超小尺寸。与以往产品相比,可减少3个元器件,安装面积可缩减25%,有助于车载摄像头的小型化。同时还可以进行更宽范围的输出电压设置和时序控制设置,可满足各制造商不同CMOS图像传感器的不同要求,有助于减少开发工时。
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型号- BD7673AG,BU90006GWZ,BAJ0CC0FP,BA18JC5T,BD18KA5W,BD1CIC0W,BD433S5EFJ-C,BD18HA3WEFJ,BD7602GUL,BU27TA2WHFV,BD82001FVJ-LB,BAJ2CC0WT,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,BD15HA5WEFJ,BDJ0GA3VEFJ-M,BA70BC0FP,BD50FD0WHFP,ML7751,ML7750,BM61M41RFV-C,BD9C301FJ,BD15KA5WFP,BM2SC123FP2-LBZ,BD80C0AWFP2-C,BD50GA3WNUX,BD9P135MUF-C,BD25IC0VEFJ-LB,BD46EXX1G-M,BAJ6DD0,BD30IC0V,BU30TA2WNVX,BD71L4LG-1,BD30IC0W,BD95821MUV,BA50JC5T,BD70HC0WEFJ,BD9E303UEFJ-LB,BD8158FVM,BU23TD2W,BA25BC0WFP,BD70HA5VEFJ-M,BD53XXG-2M SERIES,BU32TD3WG,BM6112FV-C,BD87A34FVM,BD30GA3V,BM2P26CK-Z,BD30GA3W,BD90FD0W,BD52XXG-2C,BM2P10B3J-Z,BD6046GUL,BD82006FVJ-M,BD10KA5WFP,BA03CC0FP,BUS1DJC0GWZ,BD450S2WFP3-C,BU30TD2W,BU15JA2VG-C,BM2P0361K-Z,BM2P063EK-LBZ,BD18HC0VEFJ-LB,BD2066FJ-LB,BD450S5FP2-C,BAXXDD0W,BA17805FP,BD8313HFN,BU30TD3W,BD22621G-M,BD80GA3WNUX,BDJ2FC0WFP,BD33HA5VEFJ-M,BD2201GUL,BD6529GUL,BD750L5FP-C,BD82039FVJ,BD9D322QWZ,BD52XXG-1 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型号- BD86852MUF-C,BD868D0MUF-C,BD868C0MUF-C,BD868XXMUF-C,BD868B0MUF-C,BD868A0MUF-C,BD868C1MUF-C
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介绍快恢复二极管在使用上的优点
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【应用】国产电源管理IC用于天通模块电源部分,内置输入过压保护、欠压锁定、过流保护,输入电压2.5~5.5V
天通模块主要是应用于车载专网通信的接收与处理,在电源模块部分,给客户推荐的是降压型DC-DC TMI3255搭配上电源管理IC TMI7003C给主控部分的君正M300进行供电。
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新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。本产品通过调整内部结构,实现了HBM 2kV保证和MM 200V保证,满足了车载设备的高ESD耐量要求,由此为提高车载设备的可靠性做出贡献。
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现货市场
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支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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