【产品】650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04，Tj=25℃时漏源导通电阻最大400mΩ
英诺赛科（Innoscience）新推出的INN650DA04是采用DFN 5×6封装的650V增强型氮化镓功率晶体管，漏源导通电阻最大值为400mΩ（Tj=25℃时），具有零反向恢复电荷的特点，有助于降低开关损耗，提高系统效率；支持超高开关频率，有助于减小系统尺寸。产品符合JEDEC标准，适合做30-45W的充电器。
外观和引脚说明
产品特点
· 增强型晶体管，常关型功率开关
· 超高的开关频率
· 零反向恢复电荷
· 较低的栅极电荷和输出电荷
· 符合JEDEC标准，可用于工业应用
· ESD防护功能
产品优势
· 高效率功率开关
· 高功率密度
· 实现更高的开关频率
· 节约系统成本
应用
· AC-DC转换器
· DC-DC转换器
· 图腾柱PFC
· 电池快充
· 高密度功率转换
· 高效率功率转换
电路符号
主要参数（Tj=25℃）
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实验室地址： 深圳 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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