【产品】650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04，Tj=25℃时漏源导通电阻最大400mΩ

时间： 2021-03-11 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科（Innoscience）新推出的INN650DA04是采用DFN 5×6封装的650V增强型氮化镓功率晶体管，漏源导通电阻最大值为400mΩ（T_j=25℃时），具有零反向恢复电荷的特点，有助于降低开关损耗，提高系统效率；支持超高开关频率，有助于减小系统尺寸。产品符合JEDEC标准，适合做30-45W的充电器。

外观和引脚说明

产品特点

· 增强型晶体管，常关型功率开关

· 超高的开关频率

· 零反向恢复电荷

· 较低的栅极电荷和输出电荷

· 符合JEDEC标准，可用于工业应用

· ESD防护功能

产品优势

· 高效率功率开关

· 高功率密度

· 实现更高的开关频率

· 节约系统成本

应用

· AC-DC转换器

· DC-DC转换器

· 图腾柱PFC

· 电池快充

· 高密度功率转换

· 高效率功率转换

电路符号

主要参数（T_j=25℃）

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全部评论（2）

豆芽 Lv8. 研究员 2023-05-14

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-04-13

学习

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型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9046,EPC9167,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9170,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150

商品及供应商介绍 - EPC - 2022/3/2 PDF 中文下载

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

描述- 氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，由于具有卓越的传导性能，因此在相同的导通电阻(RDS(on)) 条件下，可实现更小尺寸及更低电容。在开关应用中，增强型(常闭型)的工作模式让功率设计师可发挥氮化镓器件的优势。电容及电感影响开关速度。小型并使用横向结构的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)具备超低电容，同时它的LGA封装具低电感，使得我们在速度、电压过冲及振铃方面可实现前所未有的开关性能。没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

型号- EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,9063,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2067,EPC9014,EPC2100,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9030,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150

商品及供应商介绍 - EPC - 2021年11月 PDF 中文下载

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

型号- EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9030,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90124,EPC9150

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

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商品及供应商介绍 - EPC - 2021/05/16 PDF 中文下载收起

BRGN250N65YK GaN Enhancement-mode Power Transistor DATA SHEET

型号- BRGN250N65YK

数据手册 - 蓝箭电子 - Rev.B - Jun.-2022 PDF 英文下载

【技术】相对于传统硅晶体管和硅芯片有更快开关速度、更小尺寸和更高效率的增强型氮化镓（GaN）技术

GaN的场效应管及IC在电源设计中相对于传统的硅晶体管和硅芯片有非常大的优势：1.有更快的开关速度；2.尺寸可以更小；3.有更高的效率；4.成本较低。EPC作为增强型氮化镓功率管理器件的领先供应商，提供从15V-350V的eGaN FET产品和eGaN IC产品。

新技术发布时间 : 2020-02-11

【产品】100V eGaN FET EPC2204，导通电阻最大仅6mΩ，无反向恢复

EPC的新款第五代eGaN FET（增强型氮化镓功率晶体管）EPC2204，符合RoHS标准、无铅、无卤素。连续漏源电压最大额定值为100V，连续电流最大额定值为29A，漏源导通电阻最大值为6mΩ，工作温度和存储温度宽至-40 ~ 150°C。

新产品发布时间 : 2020-10-02

【产品】军品级半桥拓扑氮化镓功率晶体管，漏源连续电压高达100V

宜普电源转换公司（EPC）的EPC2104为单片式半桥增强型功率晶体管为氮化镓（eGaN）器件，与传统器件相比，它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。它的漏源连续电压高达100V，支持较高电压电路，可以胜任苛刻的应用环境，可应用在高频DC-DC转换，马达驱动器等领域。

新产品发布时间 : 2018-06-28

【产品】基于氮化镓的增强型功率晶体管，导通电阻低至1.15mΩ

EPC2023是EPC公司推出的增强型氮化镓功率晶体管，漏源电压VDS为30V(连续)，漏电流为90A，漏源导通电阻RDS（on）典型值仅为1.15mΩ，极大提高了输出电流能力，降低导通损耗。此外，EPC2023增强型氮化镓功率晶体管具有较宽的工作温度，即为-40—150°C，可在极端的温度环境下稳定工作，可广泛应用在高频率DC-DC转换、负载点(POL)变换器、马达驱动、工业自动化等领域。

新产品发布时间 : 2018-06-26

【产品】650V氮化镓增强型功率晶体管P1H06300D8，采用DFN 8X8封装

P1H06300D8是派恩杰的一款采用DFN 8X8封装的氮化镓增强型功率晶体管，漏源电压达650V，连续漏极电流为10A（VGS=6V、Tc=25 ℃时），具有超快开关速度，可提升系统效率和功率密度，实现更高频工作，节省系统成本。可应用于消费型领域的开关电源、高功率密度充电器、图腾柱PFC等领域。

新产品发布时间 : 2020-06-30

【产品】焊球间距为1mm氮化镓功率晶体管EPC2029，可承载大电流

氮化镓功率晶体管EPC2029采用更宽间距连接的布局，焊球间距为1mm，符合RoHS标准，无卤素，封装尺寸为4.6mm×2.6mm，更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸的元件可以具备大电流承载能力。EPC2029增强型功率晶体管为氮化镓（eGaN）器件可应用在高速DC-DC电源转换，马达驱动器，工业自动化，同步整流，D类音频放大器等领域。操作温度和存储温度均为-40~150℃

新产品发布时间 : 2018-06-26

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

选型指南 - 英诺赛科 - 2022/11/15 PDF 中文下载

英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册

描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet

型号- INN650D02

数据手册 - 英诺赛科 - Rev.1.0 - 2020年03月10日 PDF 英文下载

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EPC2108

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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EPC2107

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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EPC2221

品牌：EPC

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EPC2105

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INN650DA04

品牌：英诺赛科

品类：GaN Enhancement-mode Power Transistor

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INN100W14

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

价格：￥10.8000

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INN100W08

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

价格：￥3.7500

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INN650D02

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

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INN650D260A

品牌：英诺赛科

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INN650D150A

品牌：英诺赛科

品类：GaN Enhancement-mode Power Transistor

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INN650DA260A

品牌：英诺赛科

品类：transistor

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。

实验室地址：深圳提交需求>

晶体回路匹配测试

测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。

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PD/QC快充测试

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晶体回路匹配测试

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授权代理品牌：集成电路

授权代理品牌：分立元件

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授权代理品牌：电子材料

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【产品】650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04，Tj=25℃时漏源导通电阻最大400mΩ

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【产品】650V GaN E-mode功率晶体管GHHS065400AD，静态漏源导通电阻低至340mΩ

P1H06150BD GaN HEMT 650V GaN Enhancement Mode Power Transistor

EPC29215_55 – Enhancement Mode Power Transistor eGaN® FET DATASHEET

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

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BRGN250N65YK GaN Enhancement-mode Power Transistor DATA SHEET

【技术】相对于传统硅晶体管和硅芯片有更快开关速度、更小尺寸和更高效率的增强型氮化镓（GaN）技术

【产品】100V eGaN FET EPC2204，导通电阻最大仅6mΩ，无反向恢复

【产品】军品级半桥拓扑氮化镓功率晶体管，漏源连续电压高达100V

【产品】基于氮化镓的增强型功率晶体管，导通电阻低至1.15mΩ

【产品】650V氮化镓增强型功率晶体管P1H06300D8，采用DFN 8X8封装

【产品】焊球间距为1mm氮化镓功率晶体管EPC2029，可承载大电流

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答，帮助您快速完成研发及采购。