【产品】-60V/-13A P沟道增强型功率MOSFET RM15P60LD，适合大电流负载应用

时间： 2019-10-28 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM15P60LD是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，可实现低栅极电荷和低R_DS（ON）。该器件非常适合大电流负载应用。在T_C=25°C时，RM15P60LD可以承受的极限漏源电压为-60V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为-13A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻为4℃/W。RM15P60LD采用TO-252-2L封装，其引脚分布如图1所示。

图1 RM15P60LD引脚分布

RM15P60LD产品特性

V_DS =-60V,I_D =-13A

R_DS(ON) <90mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<115mΩ @ V_GS=-4.5V

高密度单元设计可实现超低R_DS(ON)

全面表征雪崩电压和电流

高E_AS，具有良好的稳定性和一致性

出色的封装性能，具有良好的散热性

RM15P60LD应用领域

功率开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

无卤素应用

RM15P60LD订购信息

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全部评论（1）

用户56731903 Lv9. 科学家 2019-10-29

了解一下！！！

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