【产品】QG360pC增强型功率晶体管，助力高功率密度设计
EPC最近推出增强型晶体管EPC8010，比传统MOSFET有更高工作频率和低功耗，其中栅极电荷（QG）为360pC，非常适合高性能的电池充电和无线充电应用。
由于采用特殊的氮化镓（eGaN）技术，具有高电子迁移率和低温度系数的特性，实现较低的导通电阻，漏源导通电阻最高为160mΩ。EPC8010漏源击穿电压不低于100V，在连续和脉冲测试下的漏极电流分别为2.7A和7.5A，栅源电压范围为-4V～6V，满足大功率应用。
特殊的横向器件结构和多数载流子二极管，EPC8010提供极低的栅极电荷和反向恢复电荷（QRR），零QRR特性实现了零反向恢复损耗，极低的QG值降低了开关损耗和驱动功率。 因此，EPC8010可以实现更高的开关频率，有利于降低磁性元件的体积。
EPC8010仅提供钝化膜形成的焊料棒，只需占用极小的PCB空间，有利于实现高功率密度的电源变换设计。eGaN技术同时也带来优越的温度性能，工作温度为-40℃～150℃，符合汽车级温度标准。EPC8010具备开关频率高、高效率的优点，在超高速DC/DC变换、射频包络跟踪、无线电能传输、游戏机、工业传感系统方面拥有广阔的应用前景。
图1：EPC8010实物图
EPC8010主要优点：
• 超高效率
• 超低导通电阻
• 超低栅极电荷
• 超小型引脚
EPC8010典型应用：
• 超高速DC/DC变换
• 射频包络跟踪
• 无线电能传输
• 游戏机和工业移动传感（LiDAR）
技术顾问：刘一分
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