【产品】采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET AP25N06K，漏源电压为60V
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET AP25N06K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
●漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=30A
漏源导通电阻RDS(ON)<29mΩ@VGS=10V（典型值24mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V（典型值28.5mΩ）
●采用先进的沟槽技术
●无铅产品
●具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
●PWM应用
●负载开关
●电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）：
电气参数（Ta=25℃，除非特别说明）
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃，VDD=30V，L=0.5mH，RG=25Ω
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标记及订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】PWM应用和负载开关的N沟道增强型MOSFET CX4040，RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
诚芯微推出的型号为CX4040的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-29
【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A @Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-03-01
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论