【经验】方舟微超高阈值电压耗尽型MOS器件DMX1015E应用指南
方舟微推出的DMX1015E为超高阈值电压耗尽型MOS器件，利用器件的亚阈值特征，建立起稳定输出的电压源或电流源，其原理如下图：
DMX1015E在实际电路中的应用如图2所示，相较于DMZ(X)0615E，具有更高击穿电压(BVDSX额定值100V)及关断电压（VGS(OFF)最大为-27V），能给小电流应用负载（如PWM IC）提供更高的钳位工作电压，适合于耐压高于30V的IC供电VCC端口。
由于DMX1015E钳位工作电压升高，器件漏源之间承受的电压减少，功耗降低， 器件的发热也随之降低。同时，由于其耐压高达100V，能承受更宽的输入电压。 在常温下，2～4mA工作电流时（大多数IC的工作电流），工作电压在12～22V之间。
由于严格的设计及工艺控制，DMX1015E的参数有很好的一致性，但VGS(OFF)参数还是存在一定的分布区间，因此方舟微严格控制其出厂测试标准，上限是∣VGS(OFF)∣=27V（常温下ID=8μA），下限是钳位工作电压VCL=11.5V (常温下ID=5mA)，这样就保证常温工作条件下，在工作电流8μA≤ID≤5mA的条件下，其钳位电压：11.5V≤VCL≤27V。图3显示了钳位电压VCL下限值11.5V和阈值电压VGS(OFF)上限值VGS(OFF)=-27V，以及工作电流在不超过5mA时的钳位工作电压分布。
钳位工作电压也会随温度变化而变化，当工作温度增加时，钳位工作电压随之增加，当工作温度降低时，钳位工作电压亦随之降低。
根据图4，DMX1015E在电路实际应用中，随着器件温度的增加，其输出电压也会增加，漏源电压降低，使器件产生的功耗也随之降低，这样又促使DMX1015E温度降低，这种负反馈机制使得DMX1015E能达到稳定的热平衡状态。
超高阈值电压耗尽型MOS及其应用由成都方舟微电子有限公司首次提出，电路设计工程师可以根据DMX1015E的产品规格书（DMX1015E Ultrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFET）以及本应用手册，以确定DMX1015E的适用范围。
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方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型：BVDSS (V)：60-1200，ID (A)：0.01-16，RDSON(Ω) Max.：0.064-1000，提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装，带ESD防护功能。
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产品型号
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品类
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BVDSS (V)
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RDSON(Ω) Typ.
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ID (A)
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VGS (V)
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Package
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DMZ1511NE
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耗尽型MOSFET
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150
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10~25
|
0.1
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-3.3~-1.5
|
SOT-23
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选型表 - 方舟微 立即选型
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方舟微电子有限公司产品手册
描述- ARK Microelectronics Co., Ltd.是一家总部位于中国成都的半导体公司，成立于2008年。专注于功率半导体器件的研发、设计、制造和营销，提供电源管理和电路保护解决方案。公司专注于耗尽型MOSFET的设计，并提供定制开发和生产服务。产品广泛应用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。
型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080
关于ARK（方舟微）产品在充电器上应用的说明
方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，以更优的特性代替传统电路中的JFET器件，特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求，符合AEC-Q101标准，性能完全达到甚至超过国外同类产品.
ARK(方舟微) 为快充而生 Depletion MOSFET
型号- DMZ1315E,DMZ1315EL,DMZ6005E,DMZ6012E,DMZ85200E,FTX15N35G,DMX1015E,FTZ15N35G,DME6010D,DMX1315EL,DMX1315E,AKF30N5P0SX,DMZ1015E,DMZ1521E
DMZ0615E/DMX0615E超高阈值电压耗尽型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ARK Microelectronics公司生产的DMZ0615E/DMX0615E系列高阈值电压耗尽型功率MOSFET。这些器件采用专有的先进平面技术和超高压技术制造，适用于快速充电（QC4.0）/Type-C PD充电器或适配器等应用。
型号- DMX1015E,DMX0622E,DMZ0615E,DMX0615E,DMZ0622E
耗尽型（Depletion-Mode）MOSFET简介
型号- DMZ1315E,DMZ1315EL,DMX0622E,DMX1514E,DMZ6012E,DMZ8530E,DMZ0622E,DMX1015E,DMS1072,DMX1072,DMX2023,DMX1315EL,DMX4022E,DMS2023,DMZ1521E,DMZ1511E,DMS6014E,DMX5530E,DMZ6005E,DMX1315E,DMX8510,DMS4022E,DMX0615E,DMZ1015E,DMZ1520E
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
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