【产品】击穿电压高达1200V的功率模块，广泛适用于嵌入式驱动和工业驱动等领域

时间： 2019-03-09 来源：Vincotech

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VINCOTECH（威科）是全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商，20-FB12IPA008SC-L239C08Y是Vincotech推出的一款击穿电压高达1200V的功率模块，属于flowIPM 1B (CI)产品线，采用了IPM（CIB）拓扑和IGBT4 芯片技术，广泛适用于嵌入式驱动和工业驱动等领域。

图1 20-FB12IPA008SC-L239C08Y封装外形图

该款功率模块的击穿电压高达1200V，峰值重复反向电压为1600V，在直流测试电压下的隔离电压高达4000V，可在高压条件下稳定工作；其芯片电流额定值为8A，整流器二极管的连续正向电流为13A，浪涌（非重复）正向电流可达150A，可应对电流波动带来的挑战。

20-FB12IPA008SC-L239C08Y采用的是flow 1B封装，高度仅为12mm，器件面积为72mm x 36mm，在电路板空间紧张的应用中极具优势，可为其带来可观的空间节省。该模块采用了用于厚膜设计的陶瓷基板，基板隔离材料为Al₂O_3。此外，模块采用可靠的冷焊技术连接至PCB，不会造成PCB孔损坏，从而实现重复使用。

该款功率模块采用的拓扑结构为IPM（CIB），即转换器+逆变器+自举电路拓扑，具备三相逆变器，三相输入整流器，开路发射极配置或者发射极分流器；还提供过流保护和欠压锁定功能，进一步提高了模块的可靠性。温度传感器和NTC热敏电阻的使用，简化了模块温度监测电路的设计。

图2 20-FB12IPA008SC-L239C08Y拓扑结构图

20-FB12IPA008SC-L239C08Y采用了IGBT4芯片技术，具有易于并联，低关断损耗，低集电极发射极饱和电压，正温度系数和短尾电流等特性。此外，该款功率模块还采用Vincotech先进的压接引脚技术，可简化模块的加工和组装，节省人工和成本。

20-FB12IPA008SC-L239C08Y产品特性：

·IPM（CIB）拓扑，即转换器+逆变器+自举电路

·IGBT4芯片技术

·击穿电压高达1200V

·flow 1B封装，高度仅为12mm

·用于厚膜设计的陶瓷基板

·过流保护和欠压锁定功能

·温度传感器和NTC热敏电阻

·压接引脚技术

20-FB12IPA008SC-L239C08Y应用领域：

·嵌入式驱动

·工业驱动

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