【产品】650V N沟道碳化硅MOSFET ASR70N650D56，连续漏极电流36A，导通电阻低至60mΩ
ASR70N650D56是爱仕特自主设计研发的一款N沟道碳化硅MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰能力降低，以及减少系统体积大小。其采用DFN5X6封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为650V，连续漏极电流为36A。
产品外观和内部等效电路图
产品特点：
低电容高速开关
高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
带有独立驱动源极引脚的优化封装
易于并联和驱动简单
符合ROHS标准，无卤素
应用场景：
电动汽车充电
DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
太阳能光伏逆变器
最大额定参数(Tc=25℃)：
主要电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：
订购信息：
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