英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布,支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化

2023-07-11 英诺赛科 官网
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2023年3月20日,Innoscience Technology(英诺赛科)是一家旨在创建基于高性能、低成本氮化硅 (GaN-on-Si) 电源解决方案的全球能源生态系统的公司,其推出了全新SolidGaN集成GaN器件系列中的首款完整的半桥氮化镓功率芯片ISG3201,包括两个100V 3.2mΩ InnoGaN HEMT和一个5x6.5x1.1mm的LGA封装所需的驱动电路。


Innoscience美国公司总经理兼高级副总裁Yi Sun解释道:“Innoscience现在为设计师提供了一种选择,既可以选择使用分立解决方案的终极灵活性,也可以选择这种非常紧凑、易于使用、焊接和简化功率级布局的新集成方法”。


ISG3201 半桥氮化镓功率芯片包括两个100V 3.2mΩ 具有驱动器、驱动电阻器、自举和Vcc电容器的e-mode GaN HEMT。它具有34A的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高,栅极环路和功率环路寄生电流保持在1nH以下。因此,开关节点上的电压尖峰被最小化。半桥GaN HEMT的导通速度可以通过单个电阻器来调节。


ISG3201适用于高频Buck转换器、半桥或全桥转换器、D类音频放大器、LLC转换器和电源模块。总体而言,集成的ISG3201方案在分立的GaN设计上可以节省高达20%的PCB空间,在传统的硅实现上可以节省73%的电路板空间。


Innoscience公司产品设计工程副总裁Kong Pengju博士补充说:" ISG3201半桥器件是Innoscience公司今年计划推出的全系列SolidGaN集成GaN基解决方案中的第一个,包括更多不同额定电压的半桥电路。Innoscience旨在为工程师提供他们想要的- -集成解决方案或分立器件- -使他们能够为他们的设计实现尽可能好的结果,最大限度地缩短开发时间并降低成本。

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