英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布，支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化

Innoscience Shipments of InnoGaN Chips Exceed 300 Million Pieces

Innoscience Technology, the company founded to create a global energy ecosystem based on high-performance, low-cost, gallium-nitride-on-silicon (GaN-on-Si) power solutions, has shipped more than 300 million pieces of its InnoGan gallium nitride chips as of August 2023, helping customers achieve small size, high energy efficiency, and low loss product design.

英诺赛科连续两年荣获全球最具潜力第三代半导体技术奖，LLC-DCXIBC模块助力数据中心系统效率全面提升

英诺赛科受邀参与IIC高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，并被评选为2023年全球电子成就奖-最具潜力第三代半导体技术企业，其InnoGaN助力高频高效高功率密度电源发展，提升数据中心效率。

英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗，产品在消费类、汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付

据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟，英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%，累计出货量成功突破3亿颗！

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【IC】英诺赛科新推高集成半桥驱动功率芯片ISG3201，耐压100V，导通电阻为3.2mΩ

英诺赛科ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。

【IC】英诺赛科新推高集成、小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201，支持独立的高低边PWM信号输入，外围元件非常精简

英诺赛科推出的半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。

【IC】英诺赛推出采用InnoGaN设计的1KW电源模块，实测效率超98%，实现高效率和高功率密度优势

英诺赛科推出一款1000W方案，利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，输出功率达到1000W，效率超98%，实现高效率和高功率密度优势。

Innoscience Delivers Compact, High-performance ISG3201 SolidGaN Integrated Half-bridge Solution with Driver

ISG3201 is suitable for high-frequency Buck converters, half-bridge or full-bridge converters, Class D audio amplifiers, LLC converters, and power modules. Overall, the integrated ISG3201 solution can save up to 20% PCB space on discrete GaN designs and 73% board space on traditional silicon implementations.

英诺赛科提供高性能氮化镓芯片和优秀的解决方案，InnoGaN助力能源电子发展

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，多年来一直致力于为客户提供全电压范围（15V-700V）的高性能氮化镓芯片，优秀的氮化镓解决方案，持续为快充、大数据中心、新能源、新能源汽车等新兴领域赋能。

Innoscience to Demonstrate that GaN is The Best Power Solution for An Increasingly Wide Variety of Applications at PCIM 2023

Innoscience Technology will continue to demonstrate its focus and 100% commitment to the burgeoning GaN market via a powerful presence at the upcoming PCIM conference and exhibition in Nuremberg, May 9th – 11th.

英诺赛科携多款氮化镓产品及行业解决方案，全面降低系统损耗，赋能亮相2023亚洲充电展

日前，春季亚洲充电展在深圳福田会展中心举行，超过200家知名企业参展并展示最新产品及方案，英诺赛科以“用氮化镓打造绿色高效芯世界”为主题，打造了三大体验场景，为现场观众打造沉浸式体验。

英诺赛科参加APEC 2023展示37个消费类、数据中心和汽车电子相关应用方案，诠释氮化镓驱动电力电子未来

3月19-24日，美国APEC电力电子应用大会在奥兰多会议中心成功举办，此次会议云集了300多家企业参加，展示最新应用技术及方案。英诺赛科以“Fill the world with GaN”为主题，打造氮化镓三大应用场景，成为本次大会的一大焦点。