【选型】国产N沟道MOS管替代DMN10H220LE,导通电阻大小仅是它的一半,且电流更大

2021-10-27 世强
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客户研发的工控仪表项目上用到N沟道MOS管,之前用的型号是DMN10H220LE,由于供货紧张,想选型替代!扬杰科技(YANGJIE)专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。本文介绍扬杰科技的N沟道MOS管YJM04N10A,耐压100V;漏电流为4A;而且导通电阻更低,仅为DMN10H220LE的一半;两者SOT223封装一样,符合客户要求!


详细的产品参数对比如下所示:

由以上参数对比表可知:漏源电压及栅源电压与原型号一致,总功耗略大于原型号,不过杨杰的YJM04N10A电流更大,且导通电阻DMN10H220LE的一半,这样导通损耗降低,提升了热阻特性。同时,封装一致利于客户直接上板测试,封装实物图及结构图如下:

所以杨杰的YJM04N10A可替代Diodes的DMN10H220LE,在电流及导通电阻上有一定的优势,并且价格好,后续供货有保障,让客户工程师在硬件研发时多了一份放心!


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