【应用】纳芯微推出隔离型运算放大器NSI1311-Q1SWVR用于汽车电驱电压检测,共模瞬态抗扰度高达150kv/μs

2022-08-24 世强
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汽车电机驱动的设计开发中,会使用到隔离型运算放大器进行部分电压采样信号调理,纳芯微推出的采用容隔离技术的隔离运放NSI1311-Q1SWVR固定增益为1,不但具有较强的抗共模干扰能力同时具有低增益误差的特点;本文就NSI1311-Q1SWVR从功能性能参数以及封装大小方面进行分析,从而讨论其在汽车电驱产品中作为电压检测应用的优势。


1.NSI1311-Q1SWVR功能以及典型应用如下:

图1.NSI1311-Q1SWVR功能框图

图2.NSI1311-Q1SWVR典型应用

由上可知NSI1311-Q1SWVR为典型的隔离运算放大器内部集成ADC以及DAC中间级采用容隔离技术进行数字隔离;结合精密分压电阻可用于电机驱动器中的的母线电压采样。


2.NSI1311-Q1SWVR性能参数如下表:

表1.NSI1311-Q1SWVR性能参数

由上表可知,NSI1311-Q1SWVR采样输入电压范围0.1V-2V,较宽的采样输入范围能带来更宽的采样量程,适用范围更广;高达5000Vrms的隔离电压等级,能有效防止低压控制电路被高压击穿损坏,提高系统可靠性;共模瞬态抗扰度高达150kv/μs,有利于抑制共模干扰,提升系统抗干扰能力;低至±0.3%的增益误差以及最大值不超过±0.04%的非线性失真,带来更高的采样精度,有利于系统的精确控制;-40℃-125℃的工作温度范围以及AEC-Q100的认证标准,完全满足车载电子的设计要求。


3.NSI1311-Q1SWVR封装尺寸如下:

图3.NSI1311-Q1SWVR封装尺寸

综上所述,NSI1311-Q1SWVR作为隔离型运算放大器用于汽车电驱中的电压采样设计,在适用范围,可靠性,抗干扰能力以采样精度方面优势十分明显。

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型号- NSI6602NA-DLAR,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSM 2115,NSI8231,NSI8230,NSM 2117,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSM 2119,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8100,NSI8221,NSI8220,NSI6642C-DSPNR,NSM1051,NSI822XC,NSIP8921W1-DSWR,NSI6602MNF-Q1SWTR,NSD11416-Q1STBR,NSI6602VB-Q1SPNR,NCA3491,NSI6642A-DLAR,NSI6602NB-Q1SWKR,NSA2860_TSSOP,NSD1026V,NSI8221CX-DSWR,NSE34050,NSD12416– Q1,NCA1043B-Q1DNKR,NCA1044N-Q1SPR,NSIP8944W1-DSWR,NSPGL1 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纳芯微电子携全系列传感器产品闪耀2024 Sensor China

9月11日-13日,2024年中国(上海)国际传感器技术与应用展览会在上海举办。作为国内领先的高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司,纳芯微电子不仅携最新的传感器产品及解决方案亮相此次展会,还通过丰富精彩的展品展示与现场演示,向大家展示了其在汽车、工业和消费电子等领域的深厚积累与创新实力。

原厂动态    发布时间 : 2024-10-16

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