UMS推出全新GaN高功率放大器CHA6262-99F，工作频率范围为17.3-21.5GHz，线性增益30dB

CHA7060-QAB 5.6-8.5GHz功率放大器：采用SMD无引线封装的氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了CHA7060-QAB是一款5.6-8.5GHz频段的GaN高功率放大器，采用SMD无引脚封装。它具有两阶结构，在6-9GHz带宽内提供高达12瓦特的输出功率。该器件基于150纳米氮化镓/碳化硅（AlGaN/GaN on SiC）技术，适用于点对点无线电应用。

型号- CHA4350-QDG,CHA7060-QAB,CHA7060-QAB/XY

CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA，采用单刀双掷氮化镓单片微波IC，QFN封装

描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA，一款27.5-30GHz频段，输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术，内置SPDT开关，具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点，适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

型号- CHA6354-QQA

CHA8312-99F 17W X波段高功率放大器氮化镓单片微波集成电路数据表

描述- 该资料介绍了CHA8312-99F是一款工作在8-12GHz频段的17W高功率放大器，采用GaN Monolithic Microwave IC技术。该器件提供超过26dB的小信号增益和50%以上的功率附加效率（PAE），适用于雷达、测试设备和通信系统等微波应用。

型号- CHA8312-99F/00,CHA8312-99F

CHA6682-98F 24-27.5GHz 5W功率放大器氮化镓单片微波集成电路裸片

描述- 该资料介绍了CHA6682-98F是一款工作在24至27.5GHz频段的GaN功率放大器裸片。它提供5W饱和输出功率，具有32%的功率附加效率，并集成了功率检测器。这款放大器适用于电信应用，适合广泛的微波应用和系统。

型号- CHA6682-98F,CHA6682-98F/00

CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路，采用QFN封装

描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6682-QKB GaN Monolithic微波集成电路（MMIC），一款适用于VSAT、卫星通信、5G通信和雷达应用的宽带高功率放大器。该芯片具有高性能和高线性度，低功耗，内置射频功率检测器。

型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB

CHA8352-99F 20W Ku波段大功率放大器：氮化镓单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8352-99F是一款20W Ku波段高功率放大器，采用GaN Monolithic Microwave IC技术。该器件工作在10.7-12.75GHz频段，提供高达20W的输出功率和超过45%的功率附加效率。具有线性增益大于25dB的特点，适用于空间应用和各种微波系统。

型号- CHA8352-99F,CHA8352-99F/00

高功率氮化镓射频

描述- 该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN（氮化镓）射频功率产品，包括GaN功率条、内部匹配的GaN功率晶体管和封装的MMIC（单片微波集成电路）。产品适用于多种应用，如国防、空中交通、卫星和卫星通信。资料详细列出了不同产品的型号、工作频率、增益、饱和功率、效率、偏置电流和电压等参数。此外，还提供了产品图片和公司联系方式。

型号- CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA

17.25-21.25 GHz功率放大器氮化镓单片微波集成电路

描述- UMS公司推出了一款名为CHA4252-QKB的三级GaN功率放大器，工作频率范围为17.25-21.25GHz。该放大器输出功率为25dBm，功率附加效率为30%，小信号增益超过30dB。该产品适用于空间应用，也适用于广泛的微波应用和系统。

型号- CHA4252-QKB

高级信息：采用QFN封装的AI2214 24-27.5GHz 4W HPA氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了UMS公司生产的24-27.5GHz频段的三级GaN高功率放大器（HPA），型号为CHA6682-QKB。这款HPA采用SiC HEMT工艺制造，提供4W输出功率和26%的功率附加效率，具有25dB的小信号增益。它适用于电信、卫星通信和雷达等微波应用。

型号- CHA6682-QKB

CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造，具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点，适用于军事和商业雷达及通信系统。

型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20

X波段HPA氮化镓单片微波集成电路

描述- 本文介绍了由United Monolithic Semiconductors S.A.S.开发的X波段高功率放大器（HPA），该放大器基于GaN单晶微波集成电路。这款HPA适用于8.5至11.5GHz频段，提供25W的输出功率和37%的功率附加效率。其小信号增益超过30dB，电源为28V/0.5A。此电路专为国防应用设计，同时也适用于广泛的微波应用和系统。

裸片形式的CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W高功率放大器氮化镓单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8362-99F是一款工作在26.5至31GHz频率范围内的25W高功率放大器。它采用GaN-on-SiC HEMT工艺制造，提供典型的25W饱和输出功率和30%的功率附加效率。该放大器具有超过25dB的小信号增益，适用于卫星通信和其他微波应用。

型号- CHA8362-99F/00,CHA8362-99F