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【产品】采用TO-92封装的NPN型晶体管MMBT5401,耗散功率仅0.625W
MMBT5401是丽正国际公司生产的NPN晶体管,采用TO-92封装,耗散功率仅0.625W。器件的集电极发射极反向击穿电压 VCEO为80V, 集电极电流最大为500mA。直流增益hFE最小值为100。产品可用于开关等领域。
【产品】60V/0.2A/0.2W的NPN型晶体管MMBT3904,采用SOT-23封装
MMBT3904是丽正国际公司生产的NPN型晶体管,为外延平面结构,采用SOT-23 封装,可采用SMD/SMT方式安装,总耗散功率仅0.2W。结温可至150℃,存储温度范围宽至-55~150℃。直流增益hFE最大可至400,可用于开关等领域。
【产品】集电极-基极电压为80V的NPN型晶体管FMMT491V
FMMT491V是丽正国际推出的一款NPN型晶体管,采用SOT-23封装,集电极-基极电压为80V,集电极电流为1A,具有低等效电阻的特点,P/N后缀V表示AEC-Q101认证,例如:FMMT491V,且为无卤素。封装及引脚图如下,其中1为基极,2为发射极,3为集电极,标记为491。
BRMMBTA42Q数据表
描述- 本资料介绍了BRMMBTA42Q半导体三极管的特性、参数和应用。该产品是一款SOT-23封装的高电压NPN晶体管,适用于高电压控制电路,满足汽车应用的高可靠性要求。
型号- BRMMBTA42Q
采用SOT-23塑料封装的MMBTA42硅NPN晶体管
描述- 本资料介绍了MMBTA42半导体三极管的特性、参数和应用。该器件是一款SOT-23塑封封装的高电压NPN晶体管,具有高压、低饱和压降和低集电极输出电容等特点,适用于高电压控制电路。
型号- MMBTA42,MMBTA92
RT2222S4硅NPN晶体管
描述- 本资料介绍了RT2222S4型硅NPN晶体管的技术规格和应用。该晶体管采用SOT-223封装,具有高集电极电流、低饱和电压等特点,适用于各种电子电路。
型号- RT2222S4
【产品】直流电流增益最低可达10K的NPN型晶体管MMBTA28TFS
MMBTA28TFS是丽正国际推出的一款采用SOT-346封装的NPN型晶体管,具有极高电流增益,其直流电流增益hFE最低10K。集电极-基极电压为80V,集电极电流为500mA,集电极耗散功率为200mW。
Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. MMBTA42T
描述- 本资料介绍了MMBTA42T硅NPN晶体管,该晶体管采用SOT-89塑料封装。它具有高电压、低饱和电压、低集电极电容输出的特点,与MMBTA92T构成互补对。适用于高压控制电路。
型号- MMBTA42T
BC546/BC557/BC558晶体管
描述- 本资料介绍了三种NPN型晶体管(BC546、BC547、BC548)的技术规格和应用。内容包括这些晶体管的等效电路图、电学参数、物理尺寸和封装信息。
型号- BC547,BC546,BC548
采用SOT-323塑料封装的MMBTA42W硅NPN晶体管
描述- 本资料介绍了MMBTA42W半导体三极管的特性、参数和应用。该三极管采用SOT-323塑料封装,具有高压、低饱和电压和低集电极输出电容等特点,适用于高电压控制电路。
型号- MMBTA42W,MMBTA92W
采用SOT-89塑料封装的MMBTA42T硅NPN晶体管
描述- 本资料介绍了MMBTA42T半导体三极管的特性、参数和应用。该产品是一款SOT-89塑封封装的高电压NPN晶体管,具有高耐压、低饱和压降和低集电极输出电容等特点,适用于高压控制电路。
型号- MMBTA92T,MMBTA42T
采用SOT-23塑料封装的MMBTA44硅NPN晶体管
描述- 本数据表详细介绍了MMBTA44半导体三极管的特性、参数和应用。该器件是一款SOT-23塑料封装的高电压NPN晶体管,具有高耐压和低饱和电压的特点,适用于高压控制电路。
型号- MMBTA44
采用to-252塑料封装的MPSA42D硅NPN晶体管
描述- 本数据手册详细介绍了MPSA42D半导体三极管的特性、参数和应用。该器件是一款TO-252塑料封装的高电压NPN晶体管,具有高耐压、低饱和压降和低集电极输出电容等特点,适用于高压控制电路。
型号- MPSA42D
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品牌:丽正国际
品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格:¥0.1576
现货: 5,000
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