【产品】采用66引脚TSOP II封装8Mx16位DDR1 AS4C8M16D1A,满足需要高存储器带宽要求
ALLIANCE推出的128Mb DDR AS4C8M16D1A SDRAM是一款包含128 Mbits的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM。它内部配置为具有同步接口的四通道2M x 16 DRAM。其读写访问操作是通过突发操作的方式完成的,读写命令在内存片激活命令之后执行。突发操作是从一个指定的位置开始,并以编程的顺序继续编程的位置数,以保证一定的随机存储特性,而不会集中在同一片内存上连续完成读写工作。读写突发操作的字节长度是在初始化时可编程的,可设定为2,4,8字节长度。
除此之外,AS4C8M16D1A可以启用自动预充电功能,以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电;支持刷新功能(自动或自刷新,可在64ms内执行4096个刷新周期)易于使用,还具有可编程DLL选项。通过具有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以实现性能的最大化。该产品可以满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。
DDR1 AS4C8M16D1A特点:
· 快速时钟频率:200MHz
· 工作温度范围:
- 商业(0~70°C)
- 工业(-40~85°C)
· 双向DQS
· EMRS 启用/禁用DLL
· 完全同步操作
· 内部管道架构
· 四个内部存储体,每个存储体2M x 16位
· 可编程模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟:2,2.5,3
- 突发长度:2,4,8
- 突发类型:顺序和交错
· DM写延迟= 0
· 自动刷新和自我刷新
· 4096个刷新周期/ 64ms
· 预充电和主动断电
· 电源:VDD和VDDQ = 2.5V±0.2V
· 接口:SSTL_2 I/O接口
· 封装:66引脚TSOP II,引脚间距0.65mm
· 无铅和无卤素
表1 订购信息 (AS4C8M16D1A-5TCN,AS4C8M16D1A-5TIN)
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