【产品】采用66引脚TSOP II封装8Mx16位DDR1 AS4C8M16D1A,满足需要高存储器带宽要求

2018-12-29 ALLIANCE
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ALLIANCE推出的128Mb DDR AS4C8M16D1A SDRAM是一款包含128 Mbits的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM。它内部配置为具有同步接口的四通道2M x 16 DRAM。其读写访问操作是通过突发操作的方式完成的,读写命令在内存片激活命令之后执行。突发操作是从一个指定的位置开始,并以编程的顺序继续编程的位置数,以保证一定的随机存储特性,而不会集中在同一片内存上连续完成读写工作。读写突发操作的字节长度是在初始化时可编程的,可设定为2,4,8字节长度。


除此之外,AS4C8M16D1A可以启用自动预充电功能,以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电;支持刷新功能(自动或自刷新,可在64ms内执行4096个刷新周期)易于使用,还具有可编程DLL选项。通过具有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以实现性能的最大化。该产品可以满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。


DDR1 AS4C8M16D1A特点:

   ·   快速时钟频率:200MHz

   ·   工作温度范围:

      - 商业(0~70°C)

      - 工业(-40~85°C)

   ·   双向DQS

   ·   EMRS 启用/禁用DLL

   ·   完全同步操作

   ·   内部管道架构

   ·   四个内部存储体,每个存储体2M x 16位

   ·   可编程模式和扩展模式寄存器

      -  CAS延迟:2,2.5,3

      - 突发长度:2,4,8

      - 突发类型:顺序和交错

   ·   DM写延迟= 0

   ·   自动刷新和自我刷新

   ·   4096个刷新周期/ 64ms

   ·   预充电和主动断电

   ·   电源:VDD和VDDQ = 2.5V±0.2V

   ·   接口:SSTL_2    I/O接口

   ·   封装:66引脚TSOP II,引脚间距0.65mm

   ·   无铅和无卤素


表1  订购信息 (AS4C8M16D1A-5TCNAS4C8M16D1A-5TIN


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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