【应用】R6576ENZ4C13功率MOSFET助力3KW 5G通信电源LLC高功率密度设计

时间： 2020-06-01 来源：世强

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图1是3KW的5G通信电源的主架构框图。其中主体是由整流+PFC+逆变（LLC）+同步整流搭建而成。LLC主要是采用MOSFET配合电容电感作为逆变电路，与同步整流的供电端实现能量转换。

图1：基于R6576ENZ4C13功率MOSFET的3KW 5G 通信电源主架构框图

基于3KW的5G通信电源追求高功率密度特性。LLC选型时的MOSFET导通压降要求尽可能的低，这样才能实现开关频率提升的情况下降低系统损耗提升效率，或者同样的损耗条件下减小散热器的体积。另外当开关频率提升后，后端感性器件可以相应的减小，从而实现小型化设计，进而提升整体产品的功率密度。故LLC的MOSFET在满足电流规格下的导通电阻是越小越好。

ROHM的R6576ENZ4C13功率MOSFET（图1的框图中逆变的位置），650V/76A的MOSFET。R6576ENZ4C13的RDS(on)标准值是40mΩ，最大值才46mΩ。它的导通电阻非常低，在10A应用稳态常态电流下，相当于最大0.46W的功耗。故R6576ENZ4C13在3KW的5G通信电源LLC应用上可实现低损耗设计。

Rohm的R6576ENZ4C13功率MOSFET的主要应用特点：

1：导通电阻低，实现低导通损耗。由Figure11的RDS（on）-ID关系曲线可以看出。在VGS=10V的条件下，导通电阻与电流是正比关系，当电流30A以内时，导通电阻的曲线是几乎是平的，电流超过30A~76A，导通电电阻的变化也是非常的小，故该MOSFET在规格内导通电阻的阻值随着电流的增大的变化率非常低，大电流应用下依旧可保持高效特性。导通电阻小，MOSFET可开通过开高频，减小周边器件体积，这样在降低功耗的同时实现整体产品小型化。

2：Q g低至260nC。Qg*RDS(on)是MOSFET产品品质的体现。另外根据Qg=I*t的关系式，同样的驱动电流I的情况下，Qg越低，代表整体开通的时间越短，上升的曲线就越快，开通的损耗也就越小。

3：低反向恢复损耗。由Fig.4-1和Fig.4-2可以看出反向恢复对MOSFET在LLC应用的损耗影响。而R6576ENZ4C13反向恢复时间Trr短为990ns,反向恢复的Q rr低至32μC，该MOSFET应用时的反向恢复损耗低，LLC设计应用时可提升设计产品的效率。

R6576ENZ4C13功率MOSFET的主要参数和封装信息：

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胖哥 Lv8. 研究员 2021-02-16

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